[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向；

栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述栅极结构的延伸方向为第二方向，所述第一方向和所述第二方向相垂直；

隔断开口，位于栅极切断位置处的所述栅极结构中，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，其中，所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出；

栅极隔断结构，位于所述隔断开口中。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：层间介质层，位于所述栅极结构侧部的衬底上，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；

栅极开口，贯穿所述隔断开口两侧的所述层间介质层，所述栅极开口与所述隔断开口相连通；

所述栅极隔断结构还位于所述栅极开口中。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：栅极盖帽层，位于所述栅极结构的顶部且延伸至所述隔断开口的顶部；

所述层间介质层还覆盖位于所述栅极结构顶部的所述栅极盖帽层的侧壁；

所述栅极开口中的栅极隔断结构还覆盖位于所述隔断开口顶部的所述栅极盖帽层的侧壁。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：侧墙，位于所述栅极结构的侧壁；

所述隔断开口还沿所述第一方向延伸至所述侧墙中，并在所述第二方向上将所述侧墙进行分割。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述栅极结构任一侧的所述栅极开口的线宽尺寸为5纳米至20纳米。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极盖帽层的厚度为5纳米至20纳米。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极盖帽层的材料包括氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼和碳氮化硼中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括器件栅极结构或伪栅结构，所述器件栅极结构包括金属栅极结构。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部，所述衬底上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述鳍部沿第一方向延伸，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向垂直；

在所述栅极结构中待切断的位置处，刻蚀所述栅极结构，在所述栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，且所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述栅极结构的步骤包括：沿所述第一方向对所述栅极结构的侧壁进行各向同性的横向刻蚀。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述栅极结构侧部的衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构的侧壁；

进行所述横向刻蚀之前，还包括：在所述栅极结构中待切断的位置处，在所述栅极结构两侧形成贯穿所述层间介质层的栅极开口，所述栅极开口露出所述栅极结构中待切断的位置处的侧壁；

通过所述栅极开口，沿所述第一方向对所述栅极结构的侧壁进行各向同性的横向刻蚀，所述隔断开口与所述栅极开口相连通。