[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁，鳍部沿第一方向延伸，栅极结构沿第二方向延伸，第一方向和第二方向垂直；在栅极结构中待切断的位置处，刻蚀栅极结构，在栅极结构中形成隔断开口，隔断开口在第二方向上将栅极结构进行分割，且隔断开口露出的栅极结构的末端沿第二方向朝隔断开口内凸出。通过使隔断开口露出的栅极结构末端沿第二方向凸出，从而增大了隔断开口露出的栅极结构末端与被栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道的被控制能力，进而有利于提高半导体结构的工作性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着半导体工艺技术的逐步发展，半导体工艺节点遵循摩尔定律的发展趋势不断减小。为了适应工艺节点的减小、以及半导体器件高度集成化的发展，金属氧化物半导体(MOS)器件的关键尺寸也不断缩小，栅极长度和栅极间距也随之缩小至更小的尺寸，相应地，半导体器件的制作工艺也在不断的改进中，以满足人们对器件性能的要求。

目前形成栅极结构的工艺中，通常采用栅极切断(Gate Cut)技术对条状栅极进行切断，切断后的栅极与不同的晶体管相对应，可以提高晶体管的集成度。此外，多个栅极沿着延伸方向排列成一列时，通过栅极切断技术，能够高精度地缩小栅极切断后，断开的栅极间的对接方向的间距(Gate Cut CD)。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高半导体结构的工作性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部，所述鳍部的延伸方向为第一方向；栅极结构，位于所述衬底上且横跨所述鳍部，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述栅极结构的延伸方向为第二方向，所述第一方向和所述第二方向相垂直；隔断开口，位于栅极切断位置处的所述栅极结构中，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，其中，所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出；栅极隔断结构，位于所述隔断开口中

相应的，本发明实施例还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底以及凸立于所述衬底的鳍部，所述衬底上形成有横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述鳍部沿第一方向延伸，所述栅极结构沿第二方向延伸，所述第一方向和第二方向垂直；在所述栅极结构中待切断的位置处，刻蚀所述栅极结构，在所述栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，且所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的半导体结构中，位于栅极切断位置处的所述栅极结构中，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，其中，所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出，从而增大了所述隔断开口露出的栅极结构末端(head)与被所述栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道(channel)的被控制能力，进而有利于提高所述半导体结构的工作性能。

本发明实施例提供的形成方法中，在栅极结构中待切断的位置处，刻蚀所述栅极结构，在所述栅极结构中形成隔断开口，所述隔断开口在所述第二方向上将所述栅极结构进行分割，且所述隔断开口露出的栅极结构的末端沿所述第二方向朝所述隔断开口内凸出；通过使所述隔断开口露出的所述栅极结构末端沿所述第二方向凸出，从而增大了所述隔断开口露出的栅极结构末端与被所述栅极结构所覆盖的相邻鳍部的距离，从而有利于提高沟道的被控制能力，进而有利于提高所述半导体结构的工作性能。

附图说明

图1至图4是一种半导体结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；