[发明专利]针对电机控制装置短路异常的预防性电路保护系统及其方法在审

专利信息
申请号: 202011522345.5 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112636303A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 李浩;纪正达;汪良辉 申请(专利权)人: 上海维宏电子科技股份有限公司;上海维宏智能技术有限公司;上海维宏自动化技术有限公司
主分类号: H02H7/08 分类号: H02H7/08;H02H1/00;G01R31/52
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁;郑暄
地址: 201108 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 针对 电机 控制 装置 短路 异常 预防性 电路 保护 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种针对电机控制装置短路异常的预防性电路保护系统,其特征在于,所述的系统包括:

整流模块,所述的整流模块的第一输入端接入火线L,所述的整流模块的第二输入端接入零线N,所述的整流模块用于将输入交流电转换为电路保护系统所需的输出直流电;以及

三相开关电路模块,通过第一电容(C1)和第二电容(C2)与所述的整流模块相连接,用于通过控制各个三相开关管的工作状态以采集对应相电流,并与系统预设的阈值电流Ierr作比较,输出该相对地短路信号,完成电机控制装置短路异常判断。

2.根据权利要求1所述的针对电机控制装置短路异常的预防性电路保护系统,其特征在于,所述的三相开关电路模块具体包括:

U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT,所述的U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极通过所述的第一电容(C1)和第二电容(C2)与所述的整流模块相连接,所述的U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与U相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极相连接,且所述的U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与所述的U相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极之间接入所述的三相开关电路模块的U相的第一端;

V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT,所述的V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极与所述的U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极相连接,所述的V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与V相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极相连接,且所述的V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与所述的V相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极之间接入所述的三相开关电路模块的V相的第一端;

W相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT,所述的W相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极与所述的V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极相连接,所述的W相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与W相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极相连接,且所述的W相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与所述的W相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极之间接入所述的三相开关电路模块的W相的第一端。

3.根据权利要求1所述的针对电机控制装置短路异常的预防性电路保护系统,其特征在于,所述的系统还包括一电流采样单元,其中,所述的电流采样单元包括:

第一采样电阻(R1),所述的第一采样电阻(R1)接在所述的三相开关电路模块的输出端与所述的三相开关电路模块的U相的第一端之间;

第二采样电阻(R2),所述的第二采样电阻(R2)接在所述的三相开关电路模块的输出端与所述的三相开关电路模块的V相的第一端之间;

第三采样电阻(R3),所述的第三采样电阻(R3)接在所述的三相开关电路模块的输出端与所述的三相开关电路模块的W相的第一端之间;以及

采样芯片,所述的采样芯片设置在所述的三相开关电路模块中。

4.根据权利要求3所述的针对电机控制装置短路异常的预防性电路保护系统,其特征在于,所述的系统正常工作时具体进行以下处理操作:

(A)控制所述的三相开关电路模块的所有上桥断开,即所述的U相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT、V相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT以及W相上桥绝缘栅双极型晶体管IGBT断开;

(B)分别控制所述的三相开关电路模块的下桥逐渐导通,即所述的U相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT、V相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT及W相下桥绝缘栅双极型晶体管IGBT导通,并通过所述的电流采样单元采集对应相电流;

(C)判断采集到的各个所述的对应相电流是否大于所述的系统预设的阈值电流Ierr,若是,则进入以下操作(D),否则,该相电流正常,系统不进行短路判断;

(D)输出该相对地短路信号,做出系统短路判断。

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