[发明专利]OLED器件透明阴极及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，包括：

采用原子层沉积方法在OLED器件表面直接沉积透明导电的阴极薄膜；

所述原子层沉积方法制备时采用二乙基锌作为锌源材料，三甲基铝作为铝源原料以及双氧水作为氧源原料。

2.根据权利要求1所述的OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，在所述原子层沉积方法制备前，包括以下流程：

首先在OLED衬底基板上制作高反射率金属阳极，高反射率金属阳极制作完成后，再把OLED衬底基板放在真空腔室内依次完成OLED底部空穴传输层、OLED底部发光层、OLED底部电子传输层、OLED电荷产生层、OLED顶部空穴传输层、OLED顶部发光层和OLED顶部电子传输层的制作；

接着将把OLED衬底基板传送到原子层沉积设备中。

3.根据权利要求1所述的OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积方法制备的方法，包括：

采用原子层沉积方法，在OLED顶部电子传输层表面先沉积制备具有导电性的透明导电薄膜；其中透明导电薄膜包括了导电性氧化锌薄膜，氧化锌薄膜为透明薄膜；以及通过掺杂方式掺入的透明氧化铝薄膜，氧化铝薄膜为绝缘性薄膜。

4.根据权利要求1所述的OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积方法制备的方法，具体包括如下步骤：

步骤1：环境设定：设定原子层沉积设备的反应腔体背景压力为1～5mTorr；对该反应腔体通入二乙基锌TEZn的流速控制量为5～15mTorr；对该反应腔体通入三甲基铝TMA的流速控制量为3～15mTorr；对该反应腔体通入反应双氧水H2O2的流速控制量为10～25mTorr；对该反应腔体通入氮气N2的流速控制量为600mTorr；

步骤2：真空条件下，按顺序向原子层沉积设备的反应腔体内依次按照设定的流速控制量通入二乙基锌TEZn 0.2s和氮气10s；

步骤3：真空条件下，按顺序向原子层沉积设备的反应腔体内依次按照设定的流速控制量通入双氧水H2O2 0.4s和氮气15s；

步骤4：真空条件下，按顺序向原子层沉积设备的反应腔体内依次按照设定的流速控制量通入三甲基铝TMA 0.2s和氮气10s；

步骤5：真空条件下，按顺序向原子层沉积设备的反应腔体内依次按照设定的流速控制量通入双氧水H2O2 0.4s和氮气15s。

5.根据权利要求1所述的OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，所述步骤2与步骤3为A组，步骤4与步骤5为B组，A组和B组是交替进行的，每次交替中的A组和B组的次数比例遵循如下规则：A组的次数/B组的次数＝1/1至10/1之间；具有导电性的透明导电薄膜的总厚度为30～50nm。

6.根据权利要求1所述的OLED器件透明阴极的制作方法，其特征在于，所述原子层沉积方法制备的方法的步骤开始前，原子层沉积设备的反应腔体内的温度设定为80℃～150℃。

7.一种OLED器件透明阴极，其特征在于，包括：

包括:OLED衬底基板；

在所述OLED衬底基板上自低向高按序依次设置有作为组合体的高反射率金属阳极、OLED底部空穴传输层、OLED底部发光层、OLED底部电子传输层、OLED电荷产生层、OLED顶部空穴传输层、OLED顶部发光层以及OLED顶部电子传输层；

而透明阴极层罩住所述组合体。

8.根据权利要求7所述的OLED器件透明阴极，其特征在于，作为所述透明阴极层的透明阴极薄膜层的顶部位于OLED器件的OLED顶部电子传输层20的上方，所述透明阴极薄膜层采用复合氧化物材料构成。

9.根据权利要求7所述的OLED器件透明阴极，其特征在于，所述透明阴极薄膜层是透明导电的，所述透明阴极薄膜的成分为具有氧化锌和氧化铝的混合薄膜；所述混合薄膜的厚度为30～50nm；所述混合薄膜中，氧化锌的质量百分比为60％～80％，氧化铝质量百分比为20％～40％。