[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202011524118.6 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113053761A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 郑淑蓉;郭庭豪;赖季晖;潘国龙;赖昱嘉;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
将多个封装组件密封在密封剂中;
在所述多个封装组件上方形成电耦合至所述多个封装组件的多个第一再分布层,其中,所述多个第一再分布层包括多个电源/接地焊盘堆叠件,所述多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个具有位于所述多个第一再分布层中的每个中的焊盘,并且其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件包括:
多个电源焊盘堆叠件;和
多个接地焊盘堆叠件;以及
在所述多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层,其中,所述至少一个第二再分布层包括电连接至所述多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述多个第一再分布层包括:
施加聚合物层;
图案化所述聚合物层以形成通孔开口;以及
在所述聚合物层上方镀所述多个第一再分布层,其中,在所述通孔开口中同时镀通孔。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述至少一个第二再分布层包括:
形成所述电源线和所述电接地线;
在所述电源线和所述电接地线上方形成与所述电源线和所述电接地线接触的附加通孔;
在模塑料中模制所述电源线、所述电接地线和所述附加通孔;以及
平坦化所述模塑料和所述附加通孔。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件位于所述多个封装组件中的一个正上方,并且其中,在所述多个封装组件的顶视图中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件位于所述多个封装组件中的一个正上方,并且其中,在所述多个封装组件的顶视图中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件布置成阵列。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将所述多个封装组件放置在载体上方;以及
在形成所述至少一个第二再分布层之后,将所述载体从所述多个封装组件脱粘。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个封装组件、所述多个第一再分布层和所述至少一个第二再分布层形成重建晶圆,并且所述方法还包括将所述重建晶圆接合到附加封装组件。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件共同与所述多个封装组件中的一个的中心区域重叠,并且所述多个第一再分布层在所述多个电源/接地焊盘堆叠件之间没有信号线。
9.一种封装件,包括:
封装组件;
密封剂,将所述封装组件密封在其中;
多个第一介电层,位于所述封装组件和所述密封剂上方;
多个第一再分布层,延伸到所述多个第一介电层中,其中,所述多个第一再分布层包括布置成与所述封装组件重叠的阵列的多个电源/接地焊盘堆叠件,其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件,所述多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个在所述多个第一再分布层的每个中具有焊盘;
多个第二介电层,位于所述多个第一再分布层上方;以及
多个第二再分布层,位于所述多个第一再分布层上方。
10.一种封装件,包括:
多个封装组件,其中,所述多个封装组件包括器件管芯;
模塑料,将所述多个封装组件密封在其中;
多个第一再分布层,位于所述多个封装组件上方并且电连接至所述多个封装组件,其中,所述多个第一再分布层包括多个金属焊盘阵列,每个所述金属焊盘阵列与所述多个封装组件中的一个的中心区域重叠,并且其中,所述多个金属焊盘阵列中的每个包括多个电源/接地焊盘堆叠件;以及
多个第二再分布层,位于所述多个第一再分布层上方并且电连接至所述多个第一再分布层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011524118.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造