[发明专利]封装件及其形成方法在审
申请号: | 202011524118.6 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113053761A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 郑淑蓉;郭庭豪;赖季晖;潘国龙;赖昱嘉;蔡豪益;刘重希;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中;以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件,多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
技术领域
本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。
背景技术
近年来,高性能计算应用受到关注。高性能计算应用可以包括集成到同一晶圆的多个核心器件。在高性能计算应用的制造中发现了新问题。
发明内容
本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法,包括:将多个封装组件密封在密封剂中;在所述多个封装组件上方形成电耦合至所述多个封装组件的多个第一再分布层,其中,所述多个第一再分布层包括多个电源/接地焊盘堆叠件,所述多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个具有位于所述多个第一再分布层中的每个中的焊盘,并且其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件包括:多个电源焊盘堆叠件;和多个接地焊盘堆叠件;以及在所述多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层,其中,所述至少一个第二再分布层包括电连接至所述多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。
本发明的另一实施例提供了一种封装件,包括:封装组件;密封剂,将所述封装组件密封在其中;多个第一介电层,位于所述封装组件和所述密封剂上方;多个第一再分布层,延伸到所述多个第一介电层中,其中,所述多个第一再分布层包括布置成与所述封装组件重叠的阵列的多个电源/接地焊盘堆叠件,其中,所述多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件,所述多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个在所述多个第一再分布层的每个中具有焊盘;多个第二介电层,位于所述多个第一再分布层上方;以及多个第二再分布层,位于所述多个第一再分布层上方。
本发明的又一实施例提供了一种封装件,包括:多个封装组件,其中,所述多个封装组件包括器件管芯;模塑料,将所述多个封装组件密封在其中;多个第一再分布层,位于所述多个封装组件上方并且电连接至所述多个封装组件,其中,所述多个第一再分布层包括多个金属焊盘阵列,每个所述金属焊盘阵列与所述多个封装组件中的一个的中心区域重叠,并且其中,所述多个金属焊盘阵列中的每个包括多个电源/接地焊盘堆叠件;以及多个第二再分布层,位于所述多个第一再分布层上方并且电连接至所述多个第一再分布层。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1至图13示出了根据一些实施例的重建晶圆的形成中的中间阶段的截面图。
图14示出了根据一些实施例的重建晶圆的平面图。
图15示出了根据一些实施例的位于封装组件正上方的电源焊盘堆叠件的平面图以及示例电源焊盘堆叠件的放大图。
图16示出了根据一些实施例的相邻的电源焊盘堆叠件中的电源焊盘之间的层间间距和层内间距。
图17示出了根据一些实施例的电源焊盘堆叠件中的重叠的电源焊盘。
图18示出了根据一些实施例的电源焊盘堆叠件,其中电源焊盘具有未对准的边缘。
图19和图20示出了根据一些实施例的相同电源焊盘堆叠件中的电源焊盘的偏移。
图21和图22示出了根据一些实施例的具有不同数量的层的电源焊盘堆叠件。
图23、图24和图25示出了根据一些实施例的电源焊盘堆叠件中具有不同尺寸和形状的电源焊盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造