[发明专利]垫片及其制造方法、封装结构及其制造方法有效
申请号: | 202011524223.X | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112652619B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 曾心如;陈鹏;王利琴;周厚德;侯春源 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/08;H01L21/822;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人: | 刘莹;聂国斌 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垫片 及其 制造 方法 封装 结构 | ||
本申请提供了一种垫片及其制造方法、封装结构及其制造方法。该垫片包括:底板;至少一个被动元件结构,形成于底板的第一面处,并包括通过平面工艺形成的电路图形,电路图形包括用于与外部电路电连接的至少两个功能端;以及至少两个电极,形成于被动元件结构的功能端,并用于电连接功能端与外部电路。
技术领域
本申请涉及半导体器件领域,更具体的,涉及一种垫片、一种制造垫片的方法,一种封装结构、一种制造封装结构的方法。
背景技术
随着微电子产业的不断发展,半导体器件的集成度越来越高。半导体存储器也由二维发展至三维,例如三维与非型闪存(3D NAND flash)。而闪存也在不断的升级。
目前,在设计存储器的系统级的封装结构时,为了提升存储器的信号完整性和电源完整性,通常会在封装结构内的底板上设置一些被动元件。例如,在底板上设置高精度(例如1%)电阻来校准驱动阻抗和终端电阻,还可以放置电容来改善电源分配网络的轨道噪声。一般会采用表面贴装技术来焊接这些电阻和电容。
在封装结构中设置有芯片、芯片中可能包含多个裸芯(Die),例如八个、十六个、二十四个、三十二个或更多个。当封装结构中包括多个裸芯时,需要放置多个电阻、电容等被动元件,进而这些被动元件需要占据较大空间。而封装结构内部空间有限,限制了被动元件可使用的空间。
设置较多的被动元件时存在极大的困难,甚至不可实现这样的封装结构。此外通用的被动元件具有塑封和引脚结构,对于封装结构来说是占用了空间的、多余的结构。
发明内容
本申请的实施方式提供了一种垫片,该垫片包括:底板;至少一个被动元件结构,形成于底板的第一面处,并包括通过平面工艺形成的电路图形,电路图形包括用于与外部电路电连接的至少两个功能端;以及至少两个电极,形成于被动元件结构的功能端,并用于电连接功能端与外部电路。
在一个实施方式中,至少一个被动元件结构包括电容结构和电阻结构中的至少之一。
在一个实施方式中,至少一个被动元件结构包括电容结构,电容结构包括沿远离底板的第一面的方向交替堆叠的导电层和绝缘层;述电容结构的每个导电层包括功能子端;一部分导电层的功能子端用于构成至少两个功能端中的第一功能端,另一部分导电层的功能子端用于构成至少两个功能端中的第二功能端。
在一个实施方式中,每个导电层的外周边设置有绝缘框,绝缘框包围导电层的功能子端之外的部分。
在一个实施方式中,绝缘框的材料与电容结构的绝缘层的材料相同。
在一个实施方式中,电容结构的绝缘层的材料是钛酸钡陶瓷。
在一个实施方式中,至少两个电极中包括:第一电极,覆盖电容结构的设置有第一功能端的一侧;以及第二电极,覆盖电容结构的设置有第二功能端的一侧。
在一个实施方式中,第一功能端和第二功能端之间具有1μF至3μF的电容。
在一个实施方式中,至少一个被动元件结构包括电阻结构,电阻结构包括:第一电阻线,第一电阻线的两端分别为第一连接端和至少两个功能端中的第三功能端;阻值调试段,具有相对的第一侧和第二侧,阻值调试段适于被加工以使第一侧和第二侧之间的电阻变大,第一侧与第一连接端电性连接;第二电阻线,第二电阻线的两端分别为第二连接端和至少两个功能端中的第四功能端,第二连接端与第二侧电性连接。
在一个实施方式中,阻值调试段具有由调试端向备用端延展的形态,其中,调试端具有第一侧和第二侧。
在一个实施方式中,电阻结构通过将金属材料印刷或电镀在底板上形成。
在一个实施方式中,金属材料是银浆或铜浆。
在一个实施方式中,第一电阻线、阻值调试段以及第二电阻线分别沿底板的第一面延展。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的