[发明专利]修整温度传感器的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，其包括：

第一管芯，其包含：

第一晶体管，其具有包含第一材料的第一沟道；以及

温度系数电阻器，其具有第一端子和第二端子，所述温度系数电阻器包含取决于所述第一管芯的温度的电阻；

第二管芯，其包含：

第二晶体管，其具有包含第二材料的第二沟道；

第一温度传感器，其被配置为测量指示所述第二晶体管的温度的值；以及

第二温度传感器，其包含：

参考电压节点，其耦合至所述温度系数电阻器的所述第二端子；

可变电流源，其包含输出、适于耦合至调节设备的第一输入，以及耦合至电压供应节点的第二输入；

放大器，其包含输出，并且包含耦合至所述可变电流源的所述输出和所述温度系数电阻器的所述第一端子的第一输入；以及

第三晶体管，其包含耦合至所述电压供应节点的第一电流端子、耦合至输出电压节点的第二电流端子，以及耦合至所述放大器的所述输出的控制端子；以及

封装件，其包含所述第一管芯和所述第二管芯。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一材料包含氮化镓，并且所述第二材料包含硅。

3.根据权利要求1所述的装置，其中指示所述第二晶体管的所述温度的所述值基于电流值，所述电流值取决于所述第二管芯的所述温度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器的所述第一输入是反相输入，所述放大器进一步包含非反相输入，所述温度系数电阻器是第一电阻器，并且所述第二管芯进一步包含：

第二电阻器，其耦合在所述放大器的所述非反相输入和偏移电压节点之间；以及

第四晶体管，其包含耦合至所述电压供应节点的第一电流端子、耦合至所述第二电阻器和所述放大器的所述非反相输入的第二电流端子，以及耦合至所述放大器的所述输出和所述第三晶体管的所述控制端子的控制端子。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述温度系数电阻器是第一电阻器，所述第二管芯进一步包含耦合在所述输出电压节点与所述参考电压节点之间的第二电阻器。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二管芯进一步包含耦合在所述放大器的所述第一输入与所述参考电压节点之间的电容器。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三晶体管包含正沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.一种系统，其包括：

第一管芯，其包含温度指示器，所述温度指示器包含指示第一晶体管的温度的电阻，所述第一晶体管包含具有第一材料的第一沟道；以及

第二管芯，其包含：

第一校准器，其被配置为被调节；

第一温度传感器，其耦合至所述第一校准器，所述第一温度传感器被配置为对指示第二晶体管的温度的值进行采样，所述第二晶体管具有包含第二材料的第二沟道；

第二校准器，其被配置为被调节；以及

第二温度传感器，其耦合至所述第二校准器和所述温度指示器，所述第二温度传感器被配置为基于温度指示器对第二样本进行采样，所述第二样本是指示第一管芯的温度的值。

9.根据权利要求8所述的系统，其中所述第一材料包含氮化镓，并且所述第二材料包含硅。

10.根据权利要求8所述的系统，其中所述第二校准器包含可变电流源。

11.根据权利要求8所述的系统，其中所述温度指示器包含温度系数电阻器，并且所述第二温度传感器包含：

放大器，其包含输出，并且包含耦合至所述第二校准器并且耦合至所述温度系数电阻器的第一端子的第一输入，所述温度系数电阻器包含耦合至参考电压节点的第二端子；以及

第三晶体管，其包括含耦合至电压供应节点的第一电流端子、耦合至输出电压节点的第二电流端子，以及耦合至所述放大器的所述输出的控制端子。