[发明专利]修整温度传感器的方法和装置在审

专利信息
申请号: 202011524433.9 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN113125031A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: N·R·舍姆 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 袁策
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 修整 温度传感器 方法 装置
【说明书】:

本申请公开了用于修整温度传感器的方法、装置、系统和制品。示例方法包括:利用第一温度传感器(104)对指示多芯片模块(MCM)(102)的第一管芯(108)的温度的第一值进行采样,第一管芯(108)包含第一晶体管(128),该第一晶体管(128)具有包含第一材料的沟道;以及校准第二温度传感器(106),该第二温度传感器被配置为对表示第二管芯(110)的温度的第二值进行采样,该第二管芯(110)包含第二晶体管(142),该第二晶体管(142)具有包含第二材料的第二沟道,该校准基于第一值。

相关申请

专利源于要求于2019年12月31日提交的美国临时专利申请序列号62/955,564的权益的申请。美国临时专利申请序列号62/955,564在此通过整体引用并入本文。在此要求美国临时专利申请序列号62/955,564的优先权。

技术领域

本公开总体上涉及多芯片模块,并且更具体地涉及修整温度传感器的方法和装置。

背景技术

多芯片模块改善了性能并降低了需要集成电路的产品的成本。多芯片模块由多个集成电路组成,并允许在较小的面积内使用更多的集成电路,与使用单集成电路相比,其产生了改善的结果。

附图说明

图1是包含多芯片模块的示例环境的图示,该多芯片模块具有分别与第一集成电路管芯和第二集成电路管芯相关联的第一温度传感器和第二温度传感器。

图2是表示示例第二温度传感器、示例第二校准器和示例第二温度指示器的示例电路的示意图。

图3是示出图1的示例校准装备的附加细节的框图。

图4是表示图1的示例第一温度传感器、示例第一校准器和示例第一温度指示器的示例电路的示意图。

图5是表示过程的流程图,该过程可以由示例机器可读指令实现,该示例机器可读指令可以被执行以实现图1和图3的校准装备,以在多芯片模块的测试阶段期间执行校准操作和/或修整操作。

图6是表示过程的流程图,该过程可以由示例机器可读指令实现,该示例机器可读指令可以被执行以实现图1的第一集成电路管芯和/或图2的电路。

具体实施方式

附图未按比例绘制。通常,在全部附图和随附的书面描述中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。如本文所使用的,连接引用(例如,附接、耦合、连接和联接)应当根据说明书以及相关的周围权利要求语言来解释。本申请中的连接引用的解释应当与权利要求语言和描述连接各个元件的目的的说明书的上下文一致。这样,连接引用不必推断两个元件直接连接并且彼此成固定关系。

当识别可以被分开指代的多个元件或部件时,在本文中使用描述符第一、第二、第三等。除非基于使用上下文另外指定或理解,否则这样的描述符并不旨在赋予优先级、列表中的物理顺序或布置、或时间顺序的任何含义,而仅仅是为了易于理解所公开的示例而用作分开指代多个元件或部件的标签。在一些示例中,描述符“第一”可以用于指代具体实施方式中的元件,而同一元件可以在权利要求中以不同的描述符(诸如第二或第三)来指代。

如本文中所使用的,术语“上方”是指在其上形成集成电路的部件的基底半导体衬底(例如,半导体晶片)的主体区域。具体地,如本文中所使用的,当第一部件比第二部件更远离半导体衬底的主体区域时,集成电路的第一部件在第二部件上方。同样地,如本文所使用的,当第一部件比第二部件更靠近半导体衬底的主体区域时,第一部件在另一部件下方。如上所述,一个部件可以在另一部件上方或下方,其中它们之间具有其他部件或彼此直接接触。

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