[发明专利]基于纳米带的三维静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器（SRAM）装置，包括：

第一纳米带；

第二纳米带；

晶体管M1和晶体管M3，各自包括所述第一纳米带中的第一源极或漏极（S/D）区域和第二S/D区域；以及

晶体管M2和晶体管M4，各自包括所述第二纳米带中的第一S/D区域和第二S/D区域，

其中：

所述晶体管M1的所述第一S/D区域耦合到所述晶体管M2的所述第一S/D区域，并且所述晶体管M1的栅极堆叠耦合到所述晶体管M2的栅极堆叠，以及

所述晶体管M3的所述第一S/D区域耦合到所述晶体管M4的所述第一S/D区域，并且所述晶体管M3的栅极堆叠耦合到所述晶体管M4的栅极堆叠。

2.如权利要求1所述的SRAM装置，其中，所述第一纳米带包括第一类型的半导体材料，所述第二纳米带包括第二类型的半导体材料，所述第一类型和所述第二类型中的一个类型是N-型半导体材料，并且所述第一类型和所述第二类型中的另一个类型是P-型半导体材料。

3.如权利要求1所述的SRAM装置，其中：

所述晶体管M1的所述第一S/D区域和所述晶体管M2的所述第一S/D区域中的每个耦合到第一位线，

所述晶体管M1的所述栅极堆叠和所述晶体管M2的所述栅极堆叠中的每个耦合到第二位线，

所述晶体管M3的所述第一S/D区域和所述晶体管M4的所述第一S/D区域中的每个耦合到所述第二位线，

所述晶体管M3的所述栅极堆叠和所述晶体管M4的所述栅极堆叠中的每个耦合到所述第一位线，以及

在所述SRAM装置的操作期间，所述第一位线上的信号与所述第二位线上的信号互补。

4.如权利要求3所述的SRAM装置，其中：

所述第一和第二纳米带中的每个沿大体上平行于支撑结构的方向延伸，在所述支撑结构上面提供所述SRAM装置，以及

所述第一位线和所述第二位线中的每个沿大体上垂直于所述支撑结构的方向延伸。

5.如权利要求3或4所述的SRAM装置，其中：

所述SRAM装置进一步包括晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M5和所述晶体管M6各自包括所述第一纳米带中的所述第一S/D区域和所述第二S/D区域，

所述晶体管M1的所述第一S/D区域和所述晶体管M2的所述第一S/D区域中的每个通过耦合到所述晶体管M5的所述第一S/D区域并且所述晶体管M5的所述第二S/D区域耦合到所述第一位线而耦合到所述第一位线，

所述晶体管M1的所述栅极堆叠和所述晶体管M2的所述栅极堆叠中的每个通过耦合到所述晶体管M6的所述第一S/D区域并且所述晶体管M6的所述第二S/D区域耦合到所述第二位线而耦合到所述第二位线，

所述晶体管M3的所述第一S/D区域和所述晶体管M4的所述第一S/D区域中的每个通过耦合到所述晶体管M6的所述第一S/D区域并且所述晶体管M6的所述第二S/D区域耦合到所述第二位线而耦合到所述第二位线，

所述晶体管M3的所述栅极堆叠和所述晶体管M4的所述栅极堆叠中的每个通过耦合到所述晶体管M5的所述第一S/D区域并且所述晶体管M5的所述第二S/D区域耦合到所述第一位线而耦合到所述第一位线。

6.如权利要求5所述的SRAM装置，其中，所述晶体管M5和所述晶体管M6中的每个晶体管的栅极堆叠耦合到字线。