[发明专利]开放腔桥功率递送架构和工艺在审
申请号: | 202011528760.1 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113451288A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | O·卡拉德;M·莫迪;S·阿格拉哈拉姆;N·德什潘德;D·劳拉内 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李啸;姜冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开放 功率 递送 架构 工艺 | ||
1.一种电子设备,包括:
具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底,所述封装衬底包括:
第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘;以及
在所述第一多个衬底焊盘和所述第二多个衬底焊盘之间的开放腔,所述开放腔具有底部和侧面;
在所述开放腔中的桥管芯,所述桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、在所述第一多个桥焊盘与所述第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘、以及导电迹线;
耦合到所述第一多个衬底焊盘和所述第一多个桥焊盘的第一管芯;
耦合到所述第二多个衬底焊盘和所述第二多个桥焊盘的第二管芯,所述第二管芯通过所述桥管芯的所述导电迹线耦合到所述第一管芯;以及
耦合到所述功率递送桥焊盘的功率递送导电线。
2.根据权利要求1所述的电子设备,进一步包括:
在所述第一管芯与所述封装衬底之间、在所述第一管芯与所述桥管芯之间、在所述第二管芯与所述封装衬底之间、在所述第二管芯与所述桥管芯之间、以及在所述开放腔中的底部填充材料。
3.根据权利要求2所述的电子设备,进一步包括:
在所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述底部填充材料中的沟槽,其中所述功率递送导电线在所述沟槽中。
4.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述封装衬底进一步包括在所述第一管芯和所述第二管芯的占用面积外部的衬底焊盘,其中所述功率递送导电线耦合到在所述第一管芯和所述第二管芯的所述占用面积外部的所述衬底焊盘。
5.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:
将所述桥管芯耦合到所述开放腔的所述底部的焊料结构。
6.根据权利要求5所述的电子设备,其中所述腔的所述底部具有暴露的金属层,其中所述桥管芯具有包括所述第一多个桥焊盘、所述第二多个桥焊盘、所述功率递送桥焊盘和所述导电迹线的第一侧面,并且所述桥管芯具有包括金属化层的第二侧面,并且其中所述焊料结构与所述桥管芯的所述金属化层接触并且与所述开放腔的所述底部的所述暴露的金属层接触。
7.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:
将所述桥管芯耦合到所述开放腔的所述底部的粘合剂层。
8.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述第一管芯通过第一多个焊料结构耦合到所述第一多个衬底焊盘和所述第一多个桥焊盘,并且所述第二管芯通过第二多个焊料结构耦合到所述第二多个衬底焊盘和所述第二多个桥焊盘。
9.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:
耦合到与所述第一管芯和所述第二管芯相对的所述封装衬底的侧面的板。
10.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述第一多个桥焊盘的相邻焊盘和所述第二多个桥焊盘的相邻焊盘具有第一间距,并且其中所述第一多个衬底焊盘的相邻焊盘和所述第二多个衬底焊盘的相邻焊盘具有大于所述第一间距的第二间距。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述第一间距小于约100µm,并且所述第二间距大于约100µm。
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