[发明专利]开放腔桥功率递送架构和工艺在审

专利信息
申请号: 202011528760.1 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN113451288A 公开(公告)日: 2021-09-28
发明(设计)人: O·卡拉德;M·莫迪;S·阿格拉哈拉姆;N·德什潘德;D·劳拉内 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;姜冰
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 开放 功率 递送 架构 工艺
【权利要求书】:

1.一种电子设备,包括:

具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底,所述封装衬底包括:

第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘;以及

在所述第一多个衬底焊盘和所述第二多个衬底焊盘之间的开放腔,所述开放腔具有底部和侧面;

在所述开放腔中的桥管芯,所述桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、在所述第一多个桥焊盘与所述第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘、以及导电迹线;

耦合到所述第一多个衬底焊盘和所述第一多个桥焊盘的第一管芯;

耦合到所述第二多个衬底焊盘和所述第二多个桥焊盘的第二管芯,所述第二管芯通过所述桥管芯的所述导电迹线耦合到所述第一管芯;以及

耦合到所述功率递送桥焊盘的功率递送导电线。

2.根据权利要求1所述的电子设备,进一步包括:

在所述第一管芯与所述封装衬底之间、在所述第一管芯与所述桥管芯之间、在所述第二管芯与所述封装衬底之间、在所述第二管芯与所述桥管芯之间、以及在所述开放腔中的底部填充材料。

3.根据权利要求2所述的电子设备,进一步包括:

在所述第一管芯与所述第二管芯之间的所述底部填充材料中的沟槽,其中所述功率递送导电线在所述沟槽中。

4.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述封装衬底进一步包括在所述第一管芯和所述第二管芯的占用面积外部的衬底焊盘,其中所述功率递送导电线耦合到在所述第一管芯和所述第二管芯的所述占用面积外部的所述衬底焊盘。

5.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:

将所述桥管芯耦合到所述开放腔的所述底部的焊料结构。

6.根据权利要求5所述的电子设备,其中所述腔的所述底部具有暴露的金属层,其中所述桥管芯具有包括所述第一多个桥焊盘、所述第二多个桥焊盘、所述功率递送桥焊盘和所述导电迹线的第一侧面,并且所述桥管芯具有包括金属化层的第二侧面,并且其中所述焊料结构与所述桥管芯的所述金属化层接触并且与所述开放腔的所述底部的所述暴露的金属层接触。

7.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:

将所述桥管芯耦合到所述开放腔的所述底部的粘合剂层。

8.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述第一管芯通过第一多个焊料结构耦合到所述第一多个衬底焊盘和所述第一多个桥焊盘,并且所述第二管芯通过第二多个焊料结构耦合到所述第二多个衬底焊盘和所述第二多个桥焊盘。

9.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,进一步包括:

耦合到与所述第一管芯和所述第二管芯相对的所述封装衬底的侧面的板。

10.根据权利要求1、2或3所述的电子设备,其中所述第一多个桥焊盘的相邻焊盘和所述第二多个桥焊盘的相邻焊盘具有第一间距,并且其中所述第一多个衬底焊盘的相邻焊盘和所述第二多个衬底焊盘的相邻焊盘具有大于所述第一间距的第二间距。

11.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述第一间距小于约100µm,并且所述第二间距大于约100µm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011528760.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top