[发明专利]开放腔桥功率递送架构和工艺

说明书

本文公开的实施例包括具有开放腔桥的多管芯封装。在示例中，电子设备包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘以及开放腔。桥管芯在开放腔中，该桥管芯包括第一多个桥焊盘、第二多个桥焊盘、第一多个桥焊盘与第二多个桥焊盘之间的功率递送桥焊盘，以及导电迹线。第一管芯耦合到第一多个衬底焊盘和第一多个桥焊盘。第二管芯耦合到第二多个衬底焊盘和第二多个桥焊盘。功率递送导电线耦合到功率递送桥焊盘。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体装置，并且更特别地涉及具有开放腔桥（open cavitybridge）的多管芯封装。

背景技术

对于针对高性能的增加的集成度（level of integration）和形状因子的小型化（miniaturization）的需要正在驱动半导体工业中的复杂封装方法。一种此类方法是要使用管芯分区来使能高性能和小形状因子的小型化。此类架构取决于精细的管芯到管芯互连来将分区的管芯耦合在一起。嵌入式多管芯互连桥（EMIB）已经被用于提供精细的管芯到管芯互连。然而，EMIB还具有其自身的集成挑战。

一个挑战是EMIB遭受高累积凸块（bump）厚度变化（BTV）。随着更多的EMIB被包括在封装中以及随着EMIB的大小增加，BTV正变成甚至更大的工程障碍。已经提出将EMIB放置到玻璃贴片（patch）上以减少BTV并改进翘曲（warpage）。然而，玻璃贴片是具有低热导率的厚衬底。相应地，热压接合（TCB）不适合用于中级互连（MLI）。相应地，MLI的间距（pitch）需要被增加，以便适应备选的接合技术，例如传统的芯片附接模块（批量回流（mass reflow））工艺（process）。增加MLI的间距要求使用安置在玻璃贴片上的一个或多个重分布（redistribution）层。重分布层抵消了（negate）由玻璃提供的BTV益处，并且不是期望的解决方案。

附图说明

图1和2是根据本公开的实施例的表示制造具有开放腔桥的电子封装的方法中的各种操作的截面图说明（cross-sectional illustration）。

图3是根据本公开的另一实施例的图2的电子封装的示例性布局的平面图说明（plan view illustration）。

图4和5分别是根据本公开的另一实施例的具有开放腔桥的另一电子封装的截面图说明和平面图说明。

图6是根据本公开的另一实施例的具有开放腔桥的另一电子封装的截面图说明。

图7A-7D是根据本公开的另一实施例的具有开放腔桥的各种电子封装的截面图说明。

图8A-8D是根据本公开的另一实施例的具有开放腔桥的各种电子封装的平面图说明。

图9是根据本公开的实施例构建的计算装置的示意图。

具体实施方式

本文描述的是根据各种实施例的具有开放腔桥的多管芯封装。在以下描述中，将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述说明性实现的各种方面，以向本领域技术人员传达其工作的实质。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以利用所描述的方面中的仅一些来实践本公开。为了解释的目的，阐述了具体的数字、材料和配置，以便提供说明性实现的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以在没有具体细节的情况下实践本公开。在其它实例中，省略或简化了众所周知的特征，以便不使说明性实现模糊不清。

将以最有助于理解本公开的方式依次把各种操作描述为多个分立的操作，然而，描述的顺序不应该被解释成暗示这些操作必须是顺序依赖的。特别地，这些操作不需要以呈现的顺序来执行。