[发明专利]高频模块和通信装置有效
申请号: | 202011529777.9 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113037317B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 花冈邦俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 模块 通信 装置 | ||
1.一种高频模块,具备:
基板,其具有第一主面;
第一凸块电极,其配置于所述第一主面,作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能;
半导体集成电路,其配置于所述第一主面,内置放大高频接收信号的低噪声放大器;
底部填充构件,其被填充在所述半导体集成电路与所述第一主面之间;以及
表面安装器件,其配置于所述第一主面上的、所述第一凸块电极与所述半导体集成电路之间,
其中,在俯视所述基板时,所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的同所述第一凸块电极相向的第一边缘部与所述半导体集成电路的同所述第一凸块电极相向的边缘部之间,
所述表面安装器件是构成与所述低噪声放大器的输入端子连接的匹配电路的电感器或电容器。
2.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
在俯视所述基板时,所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的所述第一边缘部与所述表面安装器件的同所述半导体集成电路相向的第二边缘部之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述高频模块还具备第二凸块电极,所述第二凸块电极配置于所述第一主面,作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能,
在所述第一主面上的、所述第二凸块电极与所述半导体集成电路之间,没有配置表面安装器件,
在俯视所述基板时,所述第一凸块电极与所述半导体集成电路之间的距离比所述第二凸块电极与所述半导体集成电路之间的距离小。
4.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述表面安装器件是构成与所述低噪声放大器的输入端子连接的匹配电路的电感器。
5.根据权利要求1所述的高频模块,其特征在于,
所述表面安装器件是构成与所述低噪声放大器的输入端子连接的匹配电路的电容器。
6.根据权利要求4所述的高频模块,其特征在于,
所述表面安装器件是集成型无源器件。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的高频模块,其特征在于,
所述基板在与所述第一主面相反的一侧具有第二主面,
所述高频模块还具备功率放大器,所述功率放大器配置于所述第二主面,对高频发送信号进行放大。
8.一种通信装置,具备:
信号处理电路,其对利用天线发送接收的高频信号进行处理;以及
根据权利要求1~7中的任一项所述的高频模块,其在所述天线与所述信号处理电路之间传输所述高频信号。
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