[发明专利]高频模块和通信装置有效
申请号: | 202011529777.9 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN113037317B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 花冈邦俊 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 模块 通信 装置 | ||
一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备:模块基板(91),具有主面(91b);凸块电极(150a),配置于主面(91b),作为高频模块(1)的外部连接端子发挥功能;半导体IC(20),配置于主面(91b),内置放大高频接收信号的低噪声放大器(21);底部填充构件(93),填充在半导体IC(20)与主面(91b)之间;电感器(411),配置于主面(91b)上的凸块电极(150a)与半导体IC(20)之间,俯视模块基板(91)时,底部填充构件(93)的外缘位于电感器(411)的同凸块电极(150a)相向的边缘部(411a)与半导体IC(20)的同凸块电极(150a)相向的边缘部(201)之间。
技术领域
本发明涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中,特别是,随着多频段化的进展,构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
在专利文献1中,公开了一种能够对底部填充构件在部件与封装基板之间的扩散进行控制的双面安装的高频模块。在专利文献1中,例如,底部填充构件的流出被封装基板上的围坝(dam)所限制。
专利文献1:美国专利申请公开第2018/0226271号说明书
发明内容
然而,在上述以往技术中,需要追加在封装基板形成围坝以控制底部填充构件的扩散的工序,制造工序增加。
因此,本发明提供一种能够在抑制制造工序的增加的同时控制底部填充构件的扩散的高频模块和通信装置。
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备:基板,其具有第一主面;第一凸块电极,其配置于所述第一主面,作为所述高频模块的外部连接端子来发挥功能;半导体集成电路,其配置于所述第一主面,内置放大高频接收信号的低噪声放大器;底部填充构件,其被填充在所述半导体集成电路与所述第一主面之间;以及表面安装器件,其配置于所述第一主面上的、所述第一凸块电极与所述半导体集成电路之间,其中,在俯视所述基板时,所述底部填充构件的外缘位于所述表面安装器件的同所述第一凸块电极相向的第一边缘部与所述半导体集成电路的同所述第一凸块电极相向的边缘部之间。
根据本发明的一个方式所涉及的高频模块,能够在抑制制造工序的增加的同时控制底部填充构件的扩散。
附图说明
图1是实施方式所涉及的通信装置的电路结构图。
图2是实施方式所涉及的匹配电路的电路结构图。
图3是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
图4是实施方式所涉及的高频模块的放大俯视图。
图5是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
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