[发明专利]聚酰亚胺胶膜及其制备方法及应用

说明书

一种聚酰亚胺胶膜的制备方法，所述方法包括以下步骤：制备聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液；将纯化处理后的聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液涂覆在支撑物的表面形成液体膜；对液体膜进行加热，得到半固化的胶膜；将半固化的胶膜从支撑物上剥离，将半固化的胶膜固定后施加拉伸张力，高温加热后逐步降温至室温，得到聚酰亚胺胶膜，上述的聚酰亚胺胶膜及其制备方法及应用，制备的聚酰亚胺胶膜在高频下具有低介电常数和低介电损耗，适用于制备高频信号传输用挠性印制电路，使用聚酰亚胺胶膜制备的多层高频印制电路在40GHZ下具有低传输损耗的特点。

技术领域

本发明涉及高分子材料领域，尤其涉及一种聚酰亚胺胶膜及其制备方法及应用。

背景技术

聚酰亚胺作为一种耐高温、耐化学腐蚀、高力学性能的高性能高分子材料，广泛地应用于微电子工业、先进液晶显示技术、集成电路等领域。挠性射频印制电路通常由高耐热聚酰亚胺薄膜或液晶聚合物薄膜作为基膜，在其表面粘结导电铜箔后形成挠性覆铜板，经光刻工艺将铜箔蚀刻成导电线路后而成。随着高频通讯技术的快速发展，挠性射频印制电路基板在高频下信号传输损耗增大，降低薄膜基板材料的高频传输损耗成为急需解决的技术难题。全球研究集中在聚酰亚胺基膜的介电损耗，有关对应的起粘结作用的热塑性聚酰亚胺胶膜的研究停留于玻璃转化温度(TG)、粘合强度等方面，未见有关改善聚酰亚胺胶膜的高频传输损耗的报道。为此，亟需提供一种聚酰亚胺胶膜及其制备方法及应用，使得制备出的聚酰亚胺胶膜在高频下具有低介电常数和低介电损耗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种聚酰亚胺胶膜，所述聚酰亚胺胶膜的介电常数ε在10GHZ下≤3.0，介电损耗Tanδ在10GHZ下≤0.008，所述聚酰亚胺胶膜的制备方法为：将聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液涂覆在支撑物表面。

本发明优选技术方案中，所述支撑物载体包括聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、不锈钢、铝箔、玻璃板等表面光滑的金属或非金属支撑物载体。

本发明优选技术方案中，所述聚酰亚胺胶膜的制备方法，具体包括如下步骤：

(1)制备聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液；

(2)将聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液涂覆在支撑物表面，制得液体膜；

(3)加热液体膜，制得半固化胶膜；

(4)将半固化胶膜从支撑物上剥离，继续加热固化，制得聚酰亚胺胶膜。

本发明优选技术方案中，所述聚酰亚胺胶膜的介电常数ε在10GHZ下≤2.98，优选≤2.82。

本发明优选技术方案中，所述聚酰亚胺胶膜的介电损耗Tanδ在10GHZ下≤0.0068，优选≤0.0045。

本发明优选技术方案中，步骤(1)中，聚酰胺酯树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液中的固含量为10-35％(w/w)。

本发明优选的技术方案中，步骤(1)中，聚酰胺酸树脂溶液的制备包括下述步骤：将芳香族二胺加入到极性非质子溶剂中，制得均相溶液；将制得的均相溶液冷却，再向均相溶液中加入脂环族四酸二酐和芳香族四酸二酐固体，在室温下反应，加入封端剂，搅拌，制得聚酰胺酸树脂溶液。

本发明优选技术方案中，所述芳香族二胺包括含氟芳香族二胺和不含氟芳香族二胺，所述含氟芳香族二胺:不含氟芳香族二胺的摩尔比为1:9-9:1，优选为7:3-3:7。

本发明优选技术方案中，所述脂环族四酸二酐：芳香族四酸二酐的摩尔比比例9:1-1:9，优选3:7-7:3，更优选为4:6-6:4。