[发明专利]一种光刻胶清洗剂组合物

说明书

一种光刻胶清洗剂组合物，其属于精细化工技术领域。该组合物包括有机碱、烷醇胺、二醇醚化合物、缓蚀剂和润湿剂。有机碱的含量决定着光刻胶的清洗能力，二醇醚化合物的加入能有效地提升季铵盐氢氧化物的溶解度。碳酸酯类化合物能有效的将光刻胶溶胀和软化，加入润湿剂后能吸附在光刻胶表面,促进溶剂和有机碱分子向膜内渗透，并且能将已经溶胀的光刻胶分散在光刻胶剥离剂中。该组合物还采用了复配型缓蚀剂，有机膦类缓蚀剂能螯合剥离剂中的金属离子，并且会沉积到金属表面形成保护膜；而糖醇类缓蚀剂的多羟基能在金属和非金属基材上形成化合键，防止金属及基材不受剥离剂腐蚀。两种缓蚀剂还会产生协同作用，提升保护能力。

技术领域

本发明涉及一种用在半导体制造工艺中的一种组合物，具体涉及一种具有金属保护功能的光刻胶剥离剂，属于精细化工技术领域。

背景技术

在半导体集成电路中，将光刻胶涂敷在硅、低K材料以及Al或Cu等金属表面，经过曝光，显影，然后蚀刻以形成电路，然后从基板上剥离光刻胶，或者在形成电路之后，然后在图形上进行等离子蚀刻使图形进行转移。在进行下一阶段工艺之前需要将这光阻材料完全去除。在现在半导体行业中剥离光刻胶及其残留物需要经过干法灰化去胶大部分的光阻层，再使用光刻胶剥离液将残余的光阻层。传统上已经提出了各种抗蚀剂剥离剂，用于从衬底上剥离光刻胶或从衬底上剥离蚀刻后残留物。日本专利公开No.62-49355公开了使用链烷醇胺的抗蚀剂剥离溶液组合物。但是，使用链烷醇胺的剥离溶液组合物不足以剥离光刻胶残渣，该光刻胶残渣已经进行了干蚀刻，灰化和离子注入等处理，并且已经改变为无机性质。KR1020100061490A中提出了由二甲基亚砜，季铵氢氧化物和醇胺、有机酚化合物组成的光刻胶清洗剂。该清洗剂对负性光刻胶的清洗能力不足，并且有机酚化合物对人体和环境有污染。JP2001215736中提出了由季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、有机胺、二元醇和水组成的光刻胶清洗剂。该清洗剂采用二元醇作为抑制金属腐蚀的缓蚀剂，但二元醇对金属腐蚀的抑制能力很弱，而且对光刻胶尤其是负性光刻胶的清洗能力较弱。该清洗剂对半导体晶片图案和基材的腐蚀略高。近来，已经提出了含有羟胺的组合物作为具有更优异的剥离性的用于抗蚀剂的剥离溶液组合物。例如并且日本专利申请专利公开No.6-266119包含用于含有羟胺，链烷醇胺和儿茶酚的抗蚀剂的剥离溶液组合物。该含有羟胺的剥离液虽然显示出优异的清洗能力，但存在对铝合金和钛产生腐蚀的问题。并且，羟胺的化合物基本上是不稳定的，并且存在分解和爆炸的风险。US7718591B2，JP4456424B2，KR1020100044777A提出了氟化物类清洗剂，氟化物类清洗剂在清洗能力上有了很大的提升，不过对该类清洗剂对金属或非金属基材都有一定的腐蚀能力。

因此鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种光刻胶剥离用组合物，该组合物在剥离光刻胶及其灰化后残留物时能够显示出很高的性能，并可防止金属配线材料的腐蚀，而且在剥离光刻胶后以水冲洗的过程中也不会造成不溶物析出、再次粘附于基板等材料上的问题等。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明目的是提供一种光刻胶剥离液，该光刻胶剥离液在保护金属或非金属基材的基础上，能在有效的去除光刻胶及其灰化后残留物。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是：一种光刻胶清洗剂组合物的组成及其重量百分比为：

去离子水余量；

氨基酸 0.1-5％；

缓蚀剂 0.1-5％

润湿剂 0.001～10％。

其中，所述季铵氢氧化物的含量优选为10-15％；

所述烷醇胺的含量优选为10-15％；

所述的碳酸酯化合物含量优选为5-15％；

所述二醇醚化合物的含量优选为20～50％；