[发明专利]一种半导体模块的封装方法及半导体模块

权利要求书

1.一种半导体模块的封装方法，其特征在于，包括：

准备步骤：在加工载板(90)上放置引线框架(10)；

第一结合步骤：采用导电结合材料(61)将晶片(41)的背面与引线框架(10)的正面结合，使晶片(41)的背面电极(412)与引线框架(10)电连接，形成一级结构；

压合步骤：将DAF材料覆盖并压合于所述一级结构的正面，形成DAF层(20)；

第二结合步骤：在所述DAF层(20)的正面设置金属层(30)，将所述金属层(30)与所述晶片(41)的正面电极(411)电连接；

穿孔步骤：加工贯穿所述DAF层(20)的导通孔(81)；

导通步骤：在所述导通孔(81)内设置导电结构(82)；

撤板步骤：去除所述加工载板(90)；

刻图案步骤：将所述引线框架(10)刻成图案化导电层，所述引线框架(10)包括与所述导电结构(82)电连接的第一导电部(11)，至少一所述第一导电部(11)与所述背面电极(412)电连接；将所述金属层(30)刻成图案化导电层，所述金属层(30)包括第二导电部(31)，至少一所述第二导电部(31)通过所述导电结构(82)与所述第一导电部(11)电连接，至少一所述第二导电部(31)与所述正面电极(411)电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体模块的封装方法，其特征在于，在所述第二结合步骤之前，还包括植球步骤；所述植球步骤包括：在所述正面电极(411)植焊球(70)；

对应的，所述第二结合步骤包括：将所述金属层(30)与所述焊球(70)结合，从而将所述金属层(30)与所述正面电极(411)电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体模块的封装方法，其特征在于，在所述植球步骤之前，包括晶圆(40)提供步骤；所述晶圆(40)提供步骤包括：提供晶圆(40)，晶圆(40)包括若干晶片(41)；

对应的，所述植球步骤包括：在所述晶圆(40)上，将所述焊球(70)结合于所述晶片(41)的正面电极(411)；

对应的，在所述植球步骤之后，包括切割步骤：所述切割步骤包括：将所述晶圆(40)切割形成若干晶片(41)。

4.根据权利要求1所述的半导体模块的封装方法，其特征在于，所述第一结合步骤还包括：

提供被动元件(50)，采用导电结合材料(61)将所述被动元件(50)的背面与所述引线框架(10)的正面结合，所述被动元件(50)的电接点通过所述第一导电部(11)与所述导电结构(82)电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体模块的封装方法，其特征在于，在所述穿孔步骤中：通过镭射钻孔的加工工艺，在所述DAF层(20)加工所述导通孔(81)；

在所述导通步骤中：通过印刷工艺或电镀工艺，将导电材料填充于所述导通孔(81)内，以形成所述导电结构(82)；

在所述刻图案步骤中：通过光刻工艺或蚀刻工艺，在所述引线框架(10)刻出图案，以形成若干所述第一导电部(11)；通过光刻工艺或蚀刻工艺，在所述金属层(30)刻出图案，以形成若干所述第二导电部(31)。

6.一种半导体模块，其特征在于，包括：

引线框架(10)，其为图案化导电层；所述引线框架(10)包括第一导电部(11)；

晶片(41)，其正面设有正面电极(411)，背面设有背面电极(412)；所述晶片(41)的背面通过导电结合层(62)结合于所述第一导电部(11)的正面；

DAF层(20)，其覆盖所述引线框架(10)的正面以及所述晶片(41)；所述DAF层(20)与所述引线框架(10)结合形成基板；

金属层(30)，其为第二图案化导电层；所述金属层(30)结合于所述基板的正面；所述金属层(30)包括第二导电部(31)；所述正面电极(411)与所述第二导电部(31)电连接；

导电结构(82)，其设于DAF层(20)内；所述导电结构(82)的一端与所述第一导电部(11)电连接，所述导电结构(82)用于将所述背面电极(412)引至所述半导体模块的正面。