[发明专利]一种半导体模块的封装方法及半导体模块

说明书

本发明公开一种半导体模块的封装方法及半导体模块，该半导体模块的封装方法包括：准备步骤、第一结合步骤、压合步骤、第二结合步骤、穿孔步骤、导通步骤、撤板步骤以及刻图案步骤；该半导体模块包括：引线框架，其包括第一导电部；晶片，其结合于第一导电部；DAF层，其覆盖引线框架的正面以及晶片；金属层，其结合于基板的正面，其包括第二导电部；正面电极与第二导电部电连接；导电结构，其设于DAF层内；导电结构的一端与第一导电部电连接，导电结构将背面电极引至半导体模块的正面。该半导体模块的封装方法及半导体模块，将晶片嵌入基板内，产品更薄，产品尺寸更小，可提高元件密集度，可实现双面散热，提高了散热效果，电极均可由同一面引出。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体模块的封装方法及半导体模块。

背景技术

近年来随着便携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、小的趋势发展。

对于双面均设有电极的元件，在封装时，一般先将元件焊在基板上，再在元件背离基板的一面再焊一导电板，如此，整个半导体模块封装结构较厚，尺寸较大，不利于实现产品的小型化。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于：提供一种半导体模块的封装方法，其将晶片嵌入基板内，封装得到的产品更薄，尺寸更小，可提高集成度，可实现双面散热。

本发明实施例的另一个目的在于：提供一种半导体模块，其将晶片嵌入基板内，产品厚度变薄，可提高元件密集度，提高了散热效果。

一种半导体模块的封装方法，包括：

准备步骤：在加工载板上放置引线框架；

第一结合步骤：采用导电结合材料将晶片的背面与引线框架的正面结合，使晶片的背面电极与引线框架电连接，形成一级结构；

压合步骤：将DAF材料覆盖并压合于所述一级结构的正面，形成DAF层；

第二结合步骤：在所述DAF层的正面设置金属层，将所述金属层与所述晶片的正面电极电连接；

穿孔步骤：加工贯穿所述DAF层的导通孔；

导通步骤：在所述导通孔内设置导电结构；

撤板步骤：去除所述加工载板；

刻图案步骤：将所述引线框架刻成图案化导电层，所述引线框架包括与所述导电结构电连接的第一导电部，至少一所述第一导电部与所述背面电极电连接；将所述金属层刻成图案化导电层，所述金属层包括第二导电部，至少一所述第二导电部通过所述导电结构与所述第一导电部电连接，至少一所述第二导电部与所述正面电极电连接。

作为优选，在所述第二结合步骤之前，还包括植球步骤；所述植球步骤包括：在所述正面电极植焊球；

对应的，所述第二结合步骤包括：将所述金属层与所述焊球结合，从而将所述金属层与所述正面电极电连接。

作为优选，在所述植球步骤之前，包括晶圆提供步骤；所述晶圆提供步骤包括：提供晶圆，晶圆包括若干晶片；

对应的，所述植球步骤包括：在所述晶圆上，将所述焊球结合于所述晶片的正面电极；

对应的，在所述植球步骤之后，包括切割步骤：所述切割步骤包括：将所述晶圆切割形成若干晶片。

作为优选，所述第一结合步骤还包括：

提供被动元件，采用导电结合材料将所述被动元件的背面与所述引线框架的正面结合，所述被动元件的电接点通过所述第一导电部与所述导电结构电连接。

作为优选，在所述穿孔步骤中：通过镭射钻孔的加工工艺，在所述DAF层加工所述导通孔；