[发明专利]缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体管芯，包括中心区域和包围所述中心区域的至少一部分的外围区域，半导体集成电路形成在所述中心区域中，所述外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域；

缺陷检测结构，形成在所述外围区域中，所述缺陷检测结构包括穿过所述左下角区域的第一导电回路、穿过所述右下角区域的第二导电回路、穿过所述左上角区域的第三导电回路和穿过所述右上角区域的第四导电回路；以及

屏蔽回路，被配置为至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路免受所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三导电回路被配置为穿过所述左下角区域和所述左上角区域；并且其中，所述第四导电回路被配置为穿过所述右下角区域和所述右上角区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在用于检测所述半导体器件的缺陷的测试操作期间，对所述屏蔽回路上的至少一个偏置节点施加恒定的偏压。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述屏蔽回路的第一部分被设置在用于至少部分地屏蔽所述第一导电回路的水平线和所述第三导电回路的水平线之间的电干扰的位置处；并且其中，所述屏蔽回路的第二部分被设置在用于至少部分地屏蔽所述第二导电回路的水平线和所述第四导电回路的水平线之间的电干扰的位置处。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述屏蔽回路的至少一部分被设置在用于至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路中分别包括的两条水平线之间的电干扰的位置处。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缺陷检测结构形成在多个导电层中，作为至少部分地包围所述中心区域的环形的三维结构。

7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导电回路和所述第二导电回路的水平线形成在第一导电层和第二导电层中；其中，所述屏蔽回路的水平线形成在第三导电层中；并且其中，所述第三导电回路和所述第四导电回路形成在所述第一导电层和第四导电层中。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缺陷检测结构包括：

第一水平线，形成在第一导电层中，环形的所述第一水平线通过穿过所述左下角区域、所述左上角区域、所述右上角区域和所述右下角区域沿所述外围区域延伸，并且所述第一水平线在位于所述左上角区域和所述右上角区域之间的第三边缘区域中被切断；

第二水平线，形成在第二导电层中，所述第二水平线从位于所述左下角区域和所述右下角区域之间的端节点区域延伸到位于所述左下角区域和所述左上角区域之间的第一边缘区域，并穿过所述左下角区域；

第三水平线，形成在所述第二导电层中，所述第三水平线从位于所述左下角区域和所述右下角区域之间的所述端节点区域延伸到位于所述右下角区域和所述右上角区域之间的第二边缘区域，并穿过所述右下角区域；

第四水平线，形成在第四导电层中，所述第四水平线通过穿过所述左下角区域和所述左上角区域，从位于所述左下角区域和所述右下角区域之间的所述端节点区域延伸到所述第三边缘区域；

第五水平线，形成在所述第四导电层中，所述第五水平线通过穿过所述右下角区域和所述右上角区域，从位于所述左下角区域和所述右下角区域之间的所述端节点区域延伸到所述第三边缘区域；

第六水平线，形成在第三导电层中，环形的所述第六水平线通过穿过所述左下角区域、所述左上角区域、所述右上角区域和所述右下角区域沿所述外围区域延伸，并且所述第六水平线在所述第三边缘区域中被切断；

第一竖直线，在所述第一边缘区域中电连接所述第一水平线和所述第二水平线；

第二竖直线，在所述第二边缘区域中电连接所述第一水平线和所述第三水平线；

第三竖直线，在所述第三边缘区域中电连接所述第一水平线和所述第四水平线；以及

第四竖直线，在所述第三边缘区域中电连接所述第一水平线和所述第五水平线。