[发明专利]缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法

说明书

一种半导体器件包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年4月3日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2020-0040758的优先权，其公开内容在此通过引用整体并入本文。

技术领域

示例实施例总体涉及半导体集成电路，更具体地，涉及具有支持对其中的缺陷进行检测的结构的半导体集成电路和用于操作这种结构的方法。

背景技术

通常，集成电路是通过在半导体材料的晶片中形成重复的图案而制造的。可以将晶片切割或切成多个半导体管芯，并且可以将各个半导体管芯封装到半导体芯片中。在切割和封装工艺期间，半导体管芯中可能会出现裂口。为了减少废品的产出量，要对半导体进行检查以检测裂口。

发明内容

一些示例实施例可以提供半导体管芯的缺陷检测结构和包括缺陷检测结构的半导体器件，以增强对各种类型的裂口侵入和其他缺陷的检测能力。

一些示例实施例可以提供用于检测半导体管芯中的缺陷的方法，以增强各种类型的裂口侵入的检测能力。

根据示例实施例，一种半导体器件，包括：半导体管芯、缺陷检测结构和输入输出电路。所述半导体管芯包括：形成半导体集成电路的中心区域和包围所述中心区域的外围区域。所述外围区域包括：左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。所述缺陷检测结构在外围区域中形成。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路，穿过右下角区域的第二导电回路，穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路，以及穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路。还提供了一种屏蔽回路，用于至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰。所述输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的相应的端节点。

根据示例实施例，在半导体管芯的外围区域中形成缺陷检测结构，所述半导体管芯的外围区域包围在其中形成半导体集成电路的半导体管芯的中心区域，所述缺陷检测结构包括：穿过所述外围区域的左下角区域的第一导电回路、穿过所述外围区域的右下角区域的第二导电回路、穿过所述外围区域的左下角区域和左上角区域的第三导电回路以及穿过所述外围区域的右下角区域和右上角区域的第四导电回路。还有利地提供了一种用于至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。

根据示例实施例，一种检测在包括中心区域和外围区域的半导体管芯中的缺陷的方法，在所述中心区域中形成半导体集成电路且所述外围区域包围所述中心区域。所述外围区域包括：左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。还在所述外围区域中提供了一种缺陷检测结构。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于至少部分地屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路。所述方法包括：对所述缺陷检测结构的输入端节点施加测试输入信号；从所述第一导电回路至所述第四导电回路的第一输出端节点至第四输出端节点接收第一测试输出信号至第四测试输出信号；以及基于所述测试输入信号和所述第一测试输出信号至所述第四测试输出信号，确定所述半导体管芯中的缺陷的存在和所述缺陷的位置。