[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

外延层，位于所述衬底的所述第一表面上，且所述外延层在所述衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于所述外延层的上方且覆盖所述外延层的上表面，所述阻挡层为至少一层金属层，所述金属层形成为所述LED芯片的第一电极。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述阻挡层包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层覆盖所述外延层的上表面，所述第二金属层覆盖所述第一金属层的上表面。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第二金属层的材料为Au或Pt中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层的所述第二半导体层与所述阻挡层之间设置有透明导电层。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为导电衬底。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，还包括：第二电极，设置于所述导电衬底的所述第二表面上。

9.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；

在所述衬底的第一表面上形成外延层，所述外延层包括依次形成在所述第一表面上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

图形化所述外延层，形成相互间隔的台面结构，相邻的台面结构之间形成切割区；

在所述台面结构上方形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述台面结构的上表面，所述阻挡层为至少一层金属层，所述金属层形成为所述LED芯片的第一电极；

对所述台面结构的侧壁进行粗化处理。

10.根据权利要求9所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

11.根据权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述台面结构上方形成阻挡层包括：在所述台面结构上方形成覆盖所述台面结构上表面的第一金属层，在所述第一金属层上形成覆盖所述第一金属层的第二金属层。

12.根据权利要求11所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

13.根据权利要求11所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第二金属层的材料为Au、或Pt中的一种或多种。

14.根据权利要求9所述LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述台面结构上方形成阻挡层之前，还包括：在所述外延层的所述第二半导体层的上方形成透明导电层。

15.根据权利要求9所述LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为导电衬底。

16.根据权利要求15所述LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述导电衬底的所述第二表面上形成第二电极。