[发明专利]一种LED芯片及LED芯片的制备方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片及LED芯片的制备方法，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；阻挡层，位于外延层的上方且完全覆盖外延层的上表面。由此，本发明能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面在芯片表面沉积氮化硅，采用化学液去除氮化硅时残留的一些化学键对芯片焊线效果产生的不良影响。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种LED芯片及LED芯片的制备方法。

背景技术

LED芯片是固态照明中的核心器件，具备寿命长，可靠性好、电光转换效率高等诸多优点。LED芯片亮度的提高基于两个效率的提高，即：内量子效率的提高及外量子效率的提高。其中，外量子效率的提高主要依赖生长分布布拉格发射器、表面粗化增加光萃取等技术手段。

表面粗化提高LED芯片出光效率的原理是利用LED出光表面的凹凸结构，将全反射角度的光线散射出或者引导出芯片，从而增加可以出射到LED外部的光线比例。一般地，可以选择对芯片的正面或侧面进行粗化，以提高其外部量子效率。在对芯片的侧面进行粗化时，由于使用的强酸性溶液对芯片正面的透明导电层会有一定的损害，一般会采用化学沉积法在芯片的正面沉积一层氮化硅层以对芯片正面的透明导电层进行保护。但是，由于制备的氮化硅层存在粘附性和致密性较差等问题，无法较好的包覆芯片的电极及发光区，导致腐蚀液对芯片正面的透明导电层产生一定的腐蚀，影响芯片的发光质量。并且，由于表面沉积的氮化硅层后续需要使用氢氟酸等溶液去除掉，由此会在芯片的表面遗留部分含氟化学键，导致芯片表面易吸附胶气，影响芯片的焊线效果。

发明内容

为了解决背景技术中至少一个技术问题，本发明提供一种LED芯片及LED芯片的制备方法，能够在芯片粗化过程中对芯片的正面进行保护，同时避免在现有技术中为了保护芯片正面而在芯片表面沉积氮化硅，去除时遗留的化学键对芯片焊线效果产生的影响。

本发明所采用的技术方案具体如下：

根据本发明的一个方面，提供一种LED芯片，包括：

衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；

外延层，位于衬底的第一表面上，且外延层在衬底的第一表面上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层的侧壁表面形成有粗化微结构；

阻挡层，位于外延层的上方且覆盖外延层的上表面。

可选地，阻挡层为至少一层金属层，金属层形成为LED芯片的第一电极。

可选地，金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

可选地，阻挡层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖外延层的上表面，第二金属层覆盖第一金属层的上表面。

可选地，第一金属层的材料为Au、Ge、Ni、Cr、Al、Cu、Ti、Pt、Zn中的一种或多种。

可选地，第二金属层的材料为Au或Pt中的一种或多种。

可选地，外延层的第二半导体层与阻挡层之间设置有透明导电层。

可选地，衬底为导电衬底。

可选地，还包括：第二电极，设置于导电衬底的第二表面上。

根据本发明的另一个方面，还提供一种LED芯片的制备方法，包括：

提供一衬底，衬底具有第一表面和第二表面；

在衬底的第一表面上形成外延层，外延层包括依次形成在第一表面上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；