[发明专利]有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备在审
申请号: | 202011534257.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112701145A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | OPPO(重庆)智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 晏波 |
地址: | 401120 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 二极管 显示 面板 及其 制备 方法 电子设备 | ||
1.一种有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
低温多晶硅薄膜晶体管阵列层,叠设在所述衬底上;以及
有机电致发光二极管显示器件层,叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上;
其中,所述衬底包括透光区域和遮光区域,所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层,所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。
2.如权利要求1所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影完全落入所述遮光区域所在范围内。
3.如权利要求2所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述遮光区域的外轮廓线超出所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影的外轮廓线设置。
4.如权利要求3所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,定义所述遮光区域的外轮廓线与所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影的外轮廓线之间的距离为L,则满足条件:L≤2μm。
5.如权利要求1至4中任一项所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述衬底包括:
透明基材层;和
遮光材料层,叠设在所述透明基材层上,并遮盖所述透明基材层的部分表面;
其中,所述遮光材料层对应的区域为所述遮光区域,所述透明基材层的未被所述遮光材料层遮盖的区域为所述透光区域。
6.如权利要求5所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述衬底还包括透明整平层,所述透明整平层叠设在所述透明基材层上,并覆盖所述透明基材层的未被所述遮光材料层遮盖的部分。
7.如权利要求6所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述透明整平层的背向所述透明基材层的表面与所述遮光材料层的背向所述透明基材层的表面平齐;
或者,所述透明整平层的厚度大于所述遮光材料层的厚度,所述遮光材料层包覆于所述透明整平层中。
8.如权利要求5所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述透明基材层包括:
基底层;和
隔离层,叠设在所述基底层上,所述遮光材料层叠设在所述隔离层上。
9.如权利要求5所述的有机电致发光二极管显示面板,其特征在于,所述遮光材料层为黑色光阻层。
10.一种有机电致发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制作并得到具有透光区域和遮光区域的衬底;
在所述衬底上制备形成低温多晶硅薄膜晶体管阵列层,并使所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层中的低温多晶硅层至少部分叠设在所述遮光区域上;
在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上制备形成有机电致发光二极管显示器件层。
11.如权利要求10所述的有机电致发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述制作并得到具有透光区域和遮光区域的衬底的步骤包括:
制作并得到透明基材层;
在所述透明基材层上制备形成遮光材料层,并使所述遮光材料层遮盖所述透明基材层的部分表面;
在所述透明基材层上制备形成透明整平层。
12.如权利要求11所述的有机电致发光二极管显示面板的制备方法,其特征在于,所述制作并得到透明基材层的步骤包括:
制作并得到基底层;
在所述基底层上制备形成隔离层。
13.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的有机电致发光二极管显示面板。
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