[发明专利]有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备在审
申请号: | 202011534257.7 | 申请日: | 2020-12-22 |
公开(公告)号: | CN112701145A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 郭天福 | 申请(专利权)人: | OPPO(重庆)智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 晏波 |
地址: | 401120 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 二极管 显示 面板 及其 制备 方法 电子设备 | ||
本申请公开一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备。其中,有机电致发光二极管显示面板包括衬底、低温多晶硅薄膜晶体管阵列层以及有机电致发光二极管显示器件层,低温多晶硅薄膜晶体管阵列层叠设在衬底上;有机电致发光二极管显示器件层叠设在低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上;其中,衬底包括透光区域和遮光区域,低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层,低温多晶硅层在衬底厚度方向上的投影至少部分落入遮光区域所在范围内。本申请的技术方案可改善电子设备的闪屏现象。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备。
背景技术
有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting diodes,OLED)显示面板由于具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快等优点,已逐步成为新一代平面显示技术的代表。
也正因为如此,市面上不少的电子设备(例如手机、平板电脑等)开始搭载有机电致发光二极管显示面板。并且,为了实现各项功能,电子设备还内置有各种感应器件,例如光线传感器(Ambient Light Sensor,ALS)、接近传感器(Proximity Sensor,PS)等。
然而,在高屏占比已成为主流趋势的情况下,越来越多的电子设备会将例如接近传感器等感应器件放置在有机电致发光二极管显示面板的下方。此时,如果电子设备的有机电致发光二极管显示面板采用的是低温多晶硅薄膜晶体管的话,就极易导致电子设备出现闪屏的显示不良。这样的问题,一直困扰着研发人员,亟待解决。
发明内容
本申请的主要目的是提供一种有机电致发光二极管显示面板及其制备方法、电子设备,旨在改善电子设备的闪屏现象。
本申请的一实施例提出一种有机电致发光二极管显示面板,该有机电致发光二极管显示面板包括:
衬底;
低温多晶硅薄膜晶体管阵列层,叠设在所述衬底上;以及
有机电致发光二极管显示器件层,叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上;
其中,所述衬底包括透光区域和遮光区域,所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层,所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。
本申请的一实施例提出一种有机电致发光二极管显示面板的制备方法,该有机电致发光二极管显示面板的制备方法包括以下步骤:
制作并得到具有透光区域和遮光区域的衬底;
在所述衬底上制备形成低温多晶硅薄膜晶体管阵列层,并使所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层中的低温多晶硅层至少部分叠设在所述遮光区域上;
在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上制备形成有机电致发光二极管显示器件层。
本申请的一实施例提出一种电子设备,该电子设备包括有机电致发光二极管显示面板,该有机电致发光二极管显示面板包括:
衬底;
低温多晶硅薄膜晶体管阵列层,叠设在所述衬底上;以及
有机电致发光二极管显示器件层,叠设在所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层上;
其中,所述衬底包括透光区域和遮光区域,所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列层包括低温多晶硅层,所述低温多晶硅层在所述衬底厚度方向上的投影至少部分落入所述遮光区域所在范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于OPPO(重庆)智能科技有限公司,未经OPPO(重庆)智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011534257.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的