[发明专利]用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法、终端设备和存储介质在审
| 申请号： | 202011535772.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112735941A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李雪健;李志林;张继亮;顾林;王虎 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 量产 ono 控制 方法 终端设备 存储 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在衬底上形成氧化层；
S2，沉积氮化层，湿法刻蚀；
S3，生长多晶硅；
S4，刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；
S5，生长ONO膜。
2.如权利要求1所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于：生长多晶硅的厚度范围为500埃～1500埃。
3.如权利要求2所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于：生长多晶硅的厚度为1080埃。
4.如权利要求1所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于：其能应用于norflash工艺平台ONO薄膜制造中。
5.如权利要求1所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于：其能应用于nandflash工艺平台ONO薄膜制造中。
6.如权利要求1所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其特征在于：其能SONOS存储器工艺平台ONO薄膜制造中。
7.一种终端设备，其特征在于：其用于执行权利要求1-6任意一项所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法。
8.一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-6任意一项所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法中的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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