[发明专利]用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法、终端设备和存储介质

说明书

本发明公开一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，包括：在衬底上形成氧化层；沉积氮化层，湿法刻蚀；生长多晶硅；刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；生长ONO膜。本发明是在ONO沉积前增加一道晶背刻蚀工艺，将前期生长在晶背的多晶硅刻蚀掉，从而使晶背膜厚与对比片和控片一致，使得位于对比片和控片背面的薄膜一致，进而使其各自下方的量产晶圆与其余量产晶圆受到相同的热辐射，从而使生长出来的ONO膜厚一致，避免由于ONO膜厚偏差造成的器件性能降低，提高量产晶圆的均一性，进而提高量产器件的良品率。

技术领域

本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法。本发明还涉及一种用于执行所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法的终端设备，以及一种用于实现所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法中的步骤的计算机存储介质。

背景技术

ONO膜层是由氧化层、氮化层和氧化层三层叠加而成的膜层，通常应用于栅极结构的栅介质层。ONO膜层中的氮化层和顶层氧化层通常都是采用炉管低压化学气相沉积(LPCVD)工艺形成层，底层氧化层则通常是通过热氧化工艺形成。ONO膜层通常形成于由半导体衬底组成的晶圆上，炉管通常包括管壁和由管壁围绕形成的工艺腔体，在炉管中通常能放置多片晶圆实现在多片晶圆的表面上同时生长对应的薄膜。

ONO三层薄膜在产品中是至关重要的工艺，其膜层厚度及质量直接影响了器件的性能。在炉管中制备时由于dummy(对比片)/monitor wafer(控片)晶背薄膜彼此不同，炉管内处于dummy/monitor下方的量产晶圆受到上方晶圆背面热辐射与其余晶圆不同，导致该位置的晶圆的ONO膜厚偏差，如下图1所示；

为改善dummy/monitor wafer下方量产晶圆的ONO膜厚偏差，传统的方法是调节炉管内温度、压力等工艺参数，尽量减小这片量产晶圆与其余量产晶圆在膜厚上的差距，但这种工艺的改善并不显著，同时温度的变动容易造成炉管内其他位置上的晶圆厚度偏差或均匀性变差，影响器件性能。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种能避免位于dummy(对比片)/monitor wafer(控片)背面薄膜不同(热辐射不同)造成下方量产晶圆ONO膜厚偏差的ONO膜厚控制方法。

相应的，本发明还提供一种用于执行所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法的终端设备，以及一种用于实现所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法中的步骤的计算机存储介质。

为解决上述技术问题，本发明提供用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，包括以下步骤：

S1，在衬底上形成氧化层；

S2，沉积氮化层，湿法刻蚀；

S3，生长多晶硅；

S4，刻蚀去除晶圆背面的多晶硅；

S5，生长ONO膜。

可选择的，进一步改进所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，生长多晶硅的厚度范围为500埃～1500埃。

可选择的，进一步改进所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，生长多晶硅的厚度为1080埃。

可选择的，所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其能应用于nor flash工艺平台ONO薄膜制造中。

可选择的，所述用于量产晶圆的ONO膜厚控制方法，其能应用于nand flash工艺平台ONO薄膜制造中。