[发明专利]大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011535898.4 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112540489B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 谢兴旺 申请(专利权)人: 武昌理工学院
主分类号: G02F1/29 分类号: G02F1/29;G02F1/1343;G02F1/133;G02B23/24;A61B1/00
代理公司: 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 代理人: 王勇
地址: 430223 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 视场 电子 内窥镜 焦距 液晶 透镜 阵列 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法,其特征在于:该方法是采用如下步骤实现的:

步骤S1:选取两个玻璃衬底,并将两个玻璃衬底进行清洗和烘干;

步骤S2:制备下电极板;具体步骤如下:

步骤S2.1:在第一个玻璃衬底的上表面溅射第一个ITO膜层;

步骤S2.2:在第一个ITO膜层的上表面溅射第一个SiO2膜层;

步骤S2.3:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第一个SiO2膜层上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口,N个窗口共同构成第一个窗口阵列,第一个ITO膜层通过第一个窗口阵列暴露出来,由此形成N个暴露区域;N为正整数,且N≥2;

步骤S2.4:在第一个ITO膜层的N个暴露区域中央一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层,N个镍膜层共同构成第一个镍膜层阵列;

步骤S2.5:在第一个SiO2膜层的上表面和第一个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个ITO膜层;

步骤S2.6:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个ITO膜层上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口,N个窗口共同构成第二个窗口阵列,第二个窗口阵列与第一个窗口阵列一一正对;

步骤S2.7:在第一个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层,N个镍膜层共同构成第二个镍膜层阵列;

步骤S2.8:在第二个ITO膜层的上表面和第二个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个SiO2膜层;

步骤S2.9:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个SiO2膜层上刻蚀形成2N个上下贯通且呈圆形的窗口,2N个窗口共同构成第三个窗口阵列,第三个窗口阵列的其中N个窗口与第二个窗口阵列一一正对,第二个ITO膜层通过第三个窗口阵列的剩余N个窗口暴露出来,由此形成N个暴露区域;

步骤S2.10:在第二个ITO膜层的N个暴露区域中央和第二个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射2N个呈圆形的镍膜层,2N个镍膜层共同构成第三个镍膜层阵列;

步骤S2.11:在第二个SiO2膜层的上表面和第三个镍膜层阵列的上表面共同溅射第三个ITO膜层;

步骤S2.12:采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺将第三个ITO膜层刻蚀成为2N个彼此独立且呈圆形的ITO膜层,2N个ITO膜层一一对应地位于第三个镍膜层阵列的上方,2N个ITO膜层共同构成ITO膜层阵列;其中,与第一个ITO膜层电连接的N个ITO膜层共同构成ITO膜层阵列的第一个子阵列,与第二个ITO膜层电连接的N个ITO膜层共同构成ITO膜层阵列的第二个子阵列;

步骤S2.13:在ITO膜层阵列的上表面和第二个SiO2膜层的暴露区域共同涂覆第一个聚酰亚胺膜层,由此制得下电极板;

步骤S3:制备上电极板;具体步骤如下:

步骤S3.1:在第二个玻璃衬底的下表面溅射第四个ITO膜层;

步骤S3.2:在第四个ITO膜层的下表面涂覆第二个聚酰亚胺膜层,由此制得上电极板;

步骤S4:组装上电极板和下电极板;具体步骤如下:

步骤S4.1:采用粘结剂(6)将第一个聚酰亚胺膜层的上表面左、右边缘与第二个聚酰亚胺膜层的下表面左、右边缘粘结在一起,由此使得第一个聚酰亚胺膜层的上表面和第二个聚酰亚胺膜层的下表面之间形成空腔;

步骤S4.2:将上电极板和下电极板直立放置,由此使得空腔的一端开口朝上,另一端开口朝下;然后,采用针管蘸取液晶(7),并将液晶(7)滴入空腔内,液晶(7)因重力作用和毛细扩张效应逐渐充满空腔;

步骤S4.3:将上电极板和下电极板水平放置,并采用粘结剂(6)将第一个聚酰亚胺膜层的上表面前、后边缘与第二个聚酰亚胺膜层的下表面前、后边缘粘结在一起,由此将液晶(7)密封于空腔内,从而制得大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列。

2.根据权利要求1所述的大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,清洗和烘干的具体步骤如下:先将玻璃衬底放入盛有无水丙酮溶液、无水乙醇溶液、去离子水的玻璃器皿中,再将玻璃器皿放入超声清洗机中进行清洗,清洗时间为6min,然后采用电热板将玻璃衬底进行烘干,烘干时间为8min,电热板的表面温度设定为110℃。

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