[发明专利]大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法

说明书

本发明涉及液晶微透镜阵列，具体是一种大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法。本发明解决了采用球面镜所设计的传统电子内窥镜视场角小的问题。大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤S1：选取两个玻璃衬底，并将两个玻璃衬底进行清洗和烘干；步骤S2：制备下电极板；步骤S3：制备上电极板；步骤S4：组装上电极板和下电极板。本发明适用于大视场电子内窥镜的设计开发。

技术领域

本发明涉及液晶微透镜阵列，具体是一种大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法。

背景技术

采用球面镜所设计的传统电子内窥镜的视场角一般在90°左右，存在视场角小的问题，由此带来的问题是：医生对病人进行检查时，需要在病人体内大幅移动电子内窥镜以获得病灶部位清晰图像，不仅给病人带来极大的痛苦感，而且导致检查时间长。基于此，有必要发明一种大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法，以解决采用球面镜所设计的传统电子内窥镜视场角小的问题。

发明内容

本发明为了解决采用球面镜所设计的传统电子内窥镜视场角小的问题，提供了一种大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法。

本发明是采用如下技术方案实现的：

大视场电子内窥镜用双焦距液晶微透镜阵列的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：

步骤S1：选取两个玻璃衬底，并将两个玻璃衬底进行清洗和烘干；

步骤S2：制备下电极板；具体步骤如下：

步骤S2.1：在第一个玻璃衬底的上表面溅射第一个ITO膜层；

步骤S2.2：在第一个ITO膜层的上表面溅射第一个SiO₂膜层；

步骤S2.3：采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第一个SiO₂膜层上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口，N个窗口共同构成第一个窗口阵列，第一个ITO膜层通过第一个窗口阵列暴露出来，由此形成N个暴露区域；N为正整数，且N≥2；

步骤S2.4：在第一个ITO膜层的N个暴露区域中央一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层，N个镍膜层共同构成第一个镍膜层阵列；

步骤S2.5：在第一个SiO₂膜层的上表面和第一个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个ITO膜层；

步骤S2.6：采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个ITO膜层上刻蚀形成N个上下贯通且呈圆形的窗口，N个窗口共同构成第二个窗口阵列，第二个窗口阵列与第一个窗口阵列一一正对；

步骤S2.7：在第一个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射N个呈圆形的镍膜层，N个镍膜层共同构成第二个镍膜层阵列；

步骤S2.8：在第二个ITO膜层的上表面和第二个镍膜层阵列的上表面共同溅射第二个SiO₂膜层；

步骤S2.9：采用紫外光刻工艺和湿法刻蚀工艺在第二个SiO₂膜层上刻蚀形成2N个上下贯通且呈圆形的窗口，2N个窗口共同构成第三个窗口阵列，第三个窗口阵列的其中N个窗口与第二个窗口阵列一一正对，第二个ITO膜层通过第三个窗口阵列的剩余N个窗口暴露出来，由此形成N个暴露区域；

步骤S2.10：在第二个ITO膜层的N个暴露区域中央和第二个镍膜层阵列的上表面一一对应地溅射2N个呈圆形的镍膜层，2N个镍膜层共同构成第三个镍膜层阵列；

步骤S2.11：在第二个SiO₂膜层的上表面和第三个镍膜层阵列的上表面共同溅射第三个ITO膜层；