[发明专利]一种易粘附易去除光刻胶在审
申请号: | 202011537041.6 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN112650022A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 徐娟;周建;王猛 | 申请(专利权)人: | 阜阳申邦新材料技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004 |
代理公司: | 合肥金律专利代理事务所(普通合伙) 34184 | 代理人: | 杨霞 |
地址: | 236400 安徽省阜阳市临泉县邢塘街*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 粘附 去除 光刻 | ||
本发明公开了一种易粘附易去除光刻胶,其原料按重量份包括:成膜树脂15‑20份、光致产酸剂5‑7份、改性二氧化钛3‑4份、硅烷偶联剂1‑3份、溶剂70‑80份;其中,成膜树脂包括成膜树脂1和成膜树脂2;成膜树脂1为对羟基苯乙烯和丙烯酸叔丁酯的共聚物,成膜树脂2为聚4‑叔丁氧酰氧基苯乙烯,其中,成膜树脂1的重均分子量为6000‑8000;成膜树脂2的重均分子量为80000‑90000。本发明选用不同树脂和二氧化钛相互配合,使得本发明具有良好的粘附性能,且容易去除。
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域,尤其涉及一种易粘附易去除光刻胶。
背景技术
随着电子器件不断向高集成化和高速化方向发展,作为微电子技术领域关键性基础材料,光刻胶的作用越来越重要。随着微电子产品越来越精细化,图形尺寸越来越小,导致光刻胶和衬底(半导体表面的衬底,如二氧化硅)接触面积越来越小,使得二者的粘附力减弱,容易发生掉胶、过显、钻刻等问题,尤其在进行线图形和岛图形时,光刻胶的粘附力差更容易导致不可修复的不良。但是随着光刻胶的粘附力增加,在去除光刻胶时,存在不易去除,进而影响微电子产品性能。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种易粘附易去除光刻胶,本发明选用不同树脂和二氧化钛相互配合,使得本发明具有良好的粘附性能,且容易去除。
本发明提出的一种易粘附易去除光刻胶,其原料按重量份包括:成膜树脂15-20份、光致产酸剂5-7份、改性二氧化钛3-4份、硅烷偶联剂1-3份、溶剂70-80份;其中,成膜树脂包括成膜树脂1和成膜树脂2;
成膜树脂1为对羟基苯乙烯和丙烯酸叔丁酯的共聚物,成膜树脂2为聚4-叔丁氧酰氧基苯乙烯,其中,成膜树脂1的重均分子量为6000-8000;成膜树脂2的重均分子量为80000-90000。
上述易粘附易去除光刻胶的原料根据需要,还可以包括其他助剂,如流平剂、稳定剂等。
上述对羟基苯乙烯和丙烯酸叔丁酯的共聚物的结构通式如式(I)所示,其中,n、m均为>0的整数。
上述聚4-叔丁氧酰氧基苯乙烯的结构通式如式(II)所示,其中,n为>0的整数。
上述对羟基苯乙烯和丙烯酸叔丁酯的共聚物、聚4-叔丁氧酰氧基苯乙烯可以从市场购得,也可以按照本领域常规碳碳双键共聚方法制得。
优选地,成膜树脂1和成膜树脂2的重量比为0.5-0.7:2。
优选地,在改性二氧化钛的制备过程中,取纳米二氧化钛、羧基化碳纳米管进行水热反应得到反应液,向反应液中加入硅烷偶联剂溶液,进行接枝反应,固液分离得到改性二氧化钛。
优选地,在改性二氧化钛的制备过程中,水热反应的温度为140-160℃,时间为3-4h。
优选地,在改性二氧化钛的制备过程中,接枝反应的温度为80-100℃,时间为1-2h。
优选地,在改性二氧化钛制备过程中,羧基化碳纳米管、二氧化钛的重量比为0.3-0.5:10。
优选地,在改性二氧化钛制备过程中,硅烷偶联剂和二氧化钛的重量比为1-2:10。
优选地,在改性二氧化钛制备过程中,硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
优选地,在改性二氧化钛制备过程中,硅烷偶联剂溶液的质量分数为3-5wt%,其溶剂为乙醇水溶液。
优选地,在改性二氧化钛制备过程中,二氧化钛为锐钛矿型二氧化钛。
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