[发明专利]一种电子深度保护剂涂覆方法及其应用在审
| 申请号： | 202011538565.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112700926A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李长宏;夏春燕 | 申请（专利权）人： | 重庆新原港科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 400000 重庆市沙*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 深度 保护 剂涂覆 方法 及其 应用 | ||
1.一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、首先采用清洗剂配合使用相关设备对导体进行清洁处理；
S2、将清洁后的导体进行干燥处理；
S3、将电子深度保护剂进行均匀加热处理；
S4、再将导体置于电子深度保护剂中浸涂、干燥，即可。
2.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S1中的清洗剂选自CRC2125高闪点精密电器清洗剂。
3.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S3中的电子深度保护剂牌号选自RH-35电子深度保护剂、RH-55电子深度保护剂、YJ-9201电接触表面润滑保护剂或YX-9202电接触表面润滑保护剂其中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S3中的电子深度保护剂加热温度为35-45℃。
5.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中的浸涂时间为0.2-2min。
6.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂的厚度为0.2-0.5μm。
7.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的时间10-20min。
8.根据权利要求1所述的一种电子深度保护剂涂覆方法，其特征在于，所述步骤S4中导体在电子深度保护剂中浸涂之后干燥的温度30-50℃。
9.一种如权利要求1所述的电子深度保护剂涂覆方法在降低导体趋肤效应中的应用。
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