[发明专利]声表面波谐振器及其制造方法

说明书

本发明公开了声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。本发明还公开了声表面波谐振器的制造方法。本发明可消减横向模式。

技术领域

本申请属于滤波器技术领域，具体涉及声表面波技术领域尤其涉及一种声表面波谐振器及其制造方法。

背景技术

SAW(surface acoustic wave)又称为声表面波，是在压电基片材料表面产生并传播，且振幅随着深入基片材料的深度增加而迅速减少的一种弹性波。SAW谐振器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作的叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)。但发明人认为SAW相关技术中存在不足，声表面波谐振器中存在强烈的横向模式，反应在谐振器性能上，会使通带间出现剧烈的波动，对谐振器的性能造成不利影响。

发明内容

针对相关技术中所存在的不足，本发明提供了一种能够一定程度上消减有害的横向模式的声表面波谐振器及其制造方法。

声表面波谐振器，包括压电基板以及位于所述压电基板表面上的叉指换能器，所述压电基板上具有凹陷部并设有用于填充所述凹陷部的减速层，所述减速层与所述叉指换能器的电极接触以降低在接触位置所在区域的声速；所述接触位置在非中心区域。

一种实施例中，所述减速层是沿纵向不连续分布的金属层。

一种实施例中，所述金属层采用Cu、Al、Au、Pt中的任一种金属，或由其中至少任意两种金属组合的合金。

一种实施例中，所述减速层被所述电极完全覆盖。

一种实施例中，所述减速层是沿纵向设置的介电层。

一种实施例中，所述介电层采用二氧化硅或氧化锌。

一种实施例中，所述接触位置在边缘区域。

一种实施例中，所述接触位置在间隙区域。

一种实施例中，所述凹陷部的深度为叉指换能器周期的5％～15％。

声表面波谐振器的制造方法，包括：

提供压电基板；

在所述压电基板上制作凹陷部，并在所述凹陷部内填充减速层；

在所述压电基板上制作叉指换能器，所述叉指换能器的电极与所述减速层在非中心区域接触；所述减速层能够降低在接触位置所在区域的声速。

相关技术本申请具有如下有益效果：

1、通过一种新的构思将相关技术中设置在所述电极上的减速层改为设置在压电基板的凹陷部中并位于所述电极之下，达到了消减有害的横向模式的效果；

2、通过将减速层做到了压电基板的凹陷部中，在后续工序中就不用考虑消减横向模式的问题，既无需在电极上做复杂的加重结构，也无需对电极的宽度和厚度进行特别的处理，降低了工艺难度和复杂度，有效节省成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1A、图1B为相关技术中声表面波谐振器的结构示意图及A-A剖面图；

图2A、图2B为本发明中抑制有害模式的声表面波谐振器的一种实施例的结构示意图及B-B剖面图；