[发明专利]薄膜装置

权利要求书

1.一种薄膜装置，包括：

第一氧化物半导体薄膜晶体管，其包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于所述顶栅电极和所述第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；

第二氧化物半导体薄膜晶体管，其包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜以及位于所述底栅电极和所述第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；

底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；以及

存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压，

其中，所述第一金属氧化物薄膜包括第一源/漏区、第二源/漏区以及位于所述第一源/漏区和所述第二源/漏区之间的第一沟道区；

其中，所述第二金属氧化物薄膜包括第三源/漏区、第四源/漏区以及位于所述第三源/漏区和所述第四源/漏区之间的第二沟道区；

其中，所述存储电容器的第一电极包括所述底栅电极的一部分；

其中，所述第二源/漏区在所述底栅绝缘层的接触孔中与所述底栅电极接触；以及

其中，底栅绝缘薄膜的单位面积电容小于顶栅绝缘薄膜的单位面积电容。

2.根据权利要求1所述的薄膜装置，其中所述底栅绝缘薄膜比所述顶栅绝缘薄膜厚。

3.根据权利要求1所述的薄膜装置，

其中，所述第二氧化物半导体薄膜晶体管进一步包括顶栅电极；以及

其中，所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极与所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的第三源/漏区或第四源/漏区相连，使所述顶栅电极与所连接的源/漏区具有相同的电势。

4.根据权利要求3所述的薄膜装置，其中，所述存储电容器包括以下一种结构，所述结构包括：

金属氧化物薄膜，其包括在与所述第一金属氧化物薄膜和所述第二金属氧化物薄膜相同的层中，并且位于所述底栅电极的一部分之上并与之接触；

绝缘薄膜，其包括在与所述顶栅绝缘薄膜相同的层中，并且位于所述金属氧化物薄膜之上并与之接触；以及

所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极的、位于所述绝缘薄膜之上并与所述绝缘薄膜接触的一部分。

5.根据权利要求3所述的薄膜装置，其中，所述存储电容器包括以下一种结构，所述结构包括：

绝缘薄膜，其包括在与所述第一氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅绝缘薄膜相同的层中，并且位于所述底栅电极的一部分之上并与之接触；以及

所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极的、位于所述绝缘薄膜之上并与所述绝缘薄膜接触的一部分。

6.根据权利要求1所述的薄膜装置，

其中，所述底栅绝缘层包括下绝缘层和上绝缘层；

其中，所述底栅绝缘薄膜包括所述上绝缘层的一部分和所述下绝缘层的一部分；

其中，所述下绝缘层的相对介电常数高于所述上绝缘层的相对介电常数；以及

其中，所述存储电容器包括以下一种结构，所述结构包括位于所述底栅电极的一部分之上并与之接触的所述下绝缘层的一部分和位于所述下绝缘层的一部分之上并与之接触的第二电极。

7.根据权利要求1所述的薄膜装置，其中，所述存储电容器包括绝缘薄膜，所述绝缘薄膜包含在所述底栅绝缘层中。

8.根据权利要求7所述的薄膜装置，其中，所述存储电容器的第二电极包括所述第三源/漏区的至少一部分。

9.根据权利要求7所述的薄膜装置，其中，所述存储电容器的第二电极包括与所述第一氧化物半导体薄膜晶体管串联连接的第三氧化物半导体薄膜晶体管的源/漏区的至少一部分。