[发明专利]薄膜装置

说明书

提供了一种薄膜装置，包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极和第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜和位于底栅电极与第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压。

技术领域

本公开涉及一种薄膜装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED)元件在显示装置领域的应用不断扩大。OLED元件是一种电流驱动的发光元件，并且因此不需要背光，除此以外还实现了低功耗、宽视角、以及高对比度。

一种有源矩阵OLED显示装置包括像素电路，每个像素电路包括用于选择像素(子像素)的开关薄膜晶体管(TFT)和用于向产生像素显示的OLED元件提供电流的驱动TFT。针对像素电路可采用非晶硅TFT、多晶硅TFT或氧化物半导体TFT。

氧化物半导体TFT由于其特点(诸如泄漏电流小和电子迁移率相对高)，因此越来越多地应用于显示装置的像素电路中。氧化物半导体TFT被应用于除了显示装置的各种领域。

发明内容

电路中的氧化物半导体TFT被要求具有不同的特性以满足其功能要求。例如，在用于控制电流驱动的发光元件的电路中，要求用于选择发光元件的开关TFT具有漏极电流相对于栅级电压急剧上升的特性(低S值)。相反地，要求该驱动TFT具有显示温和上升的(高S值)特性。除了包括具有不同特性的氧化物半导体TFT外，该电路也被要求缩小尺寸。

本公开的一个方面是一种薄膜装置，其包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极和第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜以及位于底栅电极和第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括底栅绝缘薄膜；以及存储电容器，其配置以存储被施加于底栅电极的信号电压。第一金属氧化物薄膜包括第一源/漏区、第二源/漏区以及位于第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一沟道区。第二金属氧化物薄膜包括第三源/漏区、第四源/漏区以及位于第三源/漏区和第四源/漏区之间的第二沟道区。存储电容器的第一电极包括底栅电极的一部分。第二源/漏区在底栅绝缘层的接触孔中与底栅电极接触。底栅绝缘薄膜的单位面积电容小于顶栅绝缘薄膜的单位面积电容。

本公开的另一方面是一种薄膜装置，其包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极与第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜以及位于底栅电极和第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括底栅绝缘薄膜；以及存储电容器，其配置以存储被施加于底栅电极的信号电压。第一金属氧化物薄膜包括第一源/漏区、第二源/漏区以及位于第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一沟道区。第二金属氧化物薄膜包括第三源/漏区、第四源/漏区以及位于第三源/漏区和第四源/漏区之间的第二沟道区。存储电容器的第一电极包括底栅电极的一部分。第二源/漏区在底栅绝缘层的接触孔中与底栅电极接触。第一沟道区和第二沟道区的每一个由具有较低电子迁移率的下层和具有较高电子迁移率的上层组成。