[发明专利]软磁性合金、软磁性合金薄带及其制造方法、磁芯以及部件

权利要求书

1.一种软磁性合金，其由组成式Fe_aSi_bB_cCu_dM_e表示，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf、W中的至少1种元素，按原子％计，82.5≦a≦86、0.3≦b≦3、12.5≦c≦15.0、0.05≦d≦0.9、0≦e＜0.4，

所述软磁性合金具有粒径60nm以下的晶粒存在于非晶相中的组织。

2.根据权利要求1所述的软磁性合金，其中，83≦a≦86、0.3≦b≦2、0.4≦d≦0.9、0≦e≦0.3。

3.根据权利要求1或2所述的软磁性合金，其中，13.0≦c≦14.0。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的软磁性合金，其中，Fe的一部分在最高达6原子％的范围内被Co、Ni中的至少1种元素置换。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的软磁性合金，其中，饱和磁通密度为1.75T以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的软磁性合金，其中，密度为7.45g/cm³以上。

7.一种软磁性合金薄带，其合金组成由组成式Fe_aSi_bB_cCu_dM_e表示，M为选自Nb、Mo、V、Zr、Hf、W中的至少1种元素，按原子％计，82.5≦a≦86、0.3≦b≦3、12.5≦c≦15.0、0.05≦d≦0.9、0≦e＜0.4，

所述软磁性合金薄带具有粒径60nm以下的晶粒存在于非晶相中的组织，饱和磁通密度为1.75T以上，1kHz、1T时的铁损为25W/kg以下。

8.根据权利要求7所述的软磁性合金薄带，其中，密度为7.45g/cm³以上。

9.根据权利要求7或8所述的软磁性合金薄带，其中，占积率为86％以上。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，厚度为25μm以上。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，占积率为88％以上。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，在所述软磁性合金薄带的铸造方向上施加80A/m的磁场时的磁通密度L、与在与所述软磁性合金薄带的铸造方向正交的方向上施加80A/m的磁场时的磁通密度W的值之比即L/W为0.7～1.3。

13.根据权利要求7～12中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，饱和磁致伸缩为20ppm以下。

14.根据权利要求7～13中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，83≦a≦86、0.3≦b≦2、0.4≦d≦0.9、0≦e≦0.3，饱和磁通密度为1.77T以上。

15.根据权利要求7～14中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，13.0≦c≦14.0。

16.根据权利要求7～15中任一项所述的软磁性合金薄带，其中，Fe的一部分在最高达6原子％的范围内被Co、Ni中的至少1种元素置换。

17.一种软磁性合金薄带的制造方法，其为获得权利要求7～16中任一项所述的软磁性合金薄带的制造方法，具有使合金熔液喷到旋转的冷却辊上，在所述冷却辊上冷却所述合金熔液而获得合金薄带的薄带制造工序，所述冷却辊的外周部由热导率为120W/(m·K)以上的Cu合金构成。