[发明专利]存储器设备和包括其的电子设备在审
申请号: | 202011541820.3 | 申请日: | 2020-12-23 |
公开(公告)号: | CN113053429A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 金佳琳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/18;G11C7/06;G11C8/14;G11C5/14;G06F12/0882;G06F3/06;G06N3/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 包括 电子设备 | ||
1.一种存储器设备,包括:
存储器单元阵列,包括连接到一条位线并配置为分布式地存储N比特数据的M个存储器单元,其中,N是自然数,并且M是2以上且N以下的自然数,M个存储器单元包括具有不同感测裕度的第一存储器单元和第二存储器单元;以及
包括页缓冲器的存储器控制器,该存储器控制器配置为将N比特数据分布式地存储在M个存储器单元中并依次读取存储在M个存储器单元中的数据以获得N比特数据,并且包括配置为使用N比特数据来执行操作的操作逻辑,存储器控制器配置为向第一存储器单元和第二存储器单元提供不同的读取电压。
2.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,在存储器单元阵列中,M个存储器单元被连贯地设置。
3.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,第一存储器单元的感测裕度大于第二存储器单元的感测裕度。
4.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,存储在第一存储器单元中的数据的比特数小于或等于存储在第二存储器单元中的数据的比特数。
5.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,在N比特数据之中,与存储在第二存储器单元中的数据相比,存储在第一存储器单元中的数据是比特串的最高位数据。
6.根据权利要求3所述的存储器设备,其中,存储在第一存储器单元中的数据的比特数等于存储在第二存储器单元中的数据的比特数,
其中,第一存储器单元在编程时的阈值电压分布的阈值电压的最小值大于第二存储器单元在编程时的阈值电压分布的阈值电压的最大值。
7.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,页缓冲器包括用于存储从M个存储器单元获得的数据的数据锁存器,并且数据锁存器中的至少一些具有不同的脱扣电压。
8.根据权利要求7所述的存储器设备,其中,用于存储从第一存储器单元获得的数据的第一数据锁存器的脱扣电压小于用于存储从第二存储器单元获得的数据的第二数据锁存器的脱扣电压。
9.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,存储器控制器包括连接到位线的充电开关和连接到充电开关的充电电容器;以及
其中,存储器控制器配置为使在第一存储器单元的第一读取操作中在充电电容器中所充的第一电荷量不同于在第二存储器单元的第二读取操作中在充电电容器中所充的第二电荷量。
10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中,存储器控制器配置为将用于在第一读取操作中对充电电容器进行充电的时间设置为比用于在第二读取操作中对充电电容器进行充电的时间长。
11.根据权利要求1所述的存储器设备,配置为使得当页缓冲器获得N比特数据时,操作逻辑使用N比特数据来执行操作而无需校正错误的操作。
12.根据权利要求1所述的存储器设备,其中,操作逻辑配置为使用N比特数据来执行卷积操作。
13.一种存储器设备,包括:
存储器单元阵列,包括连接到多条位线和多条字线的多个存储器单元;以及
存储器控制器,该存储器控制器配置为在所述多个存储器单元之中选择连续地连接到一条位线的M个存储器单元,其中M为2以上的自然数,并且该存储器控制器配置为将N比特数据划分为M组比特,并将M组比特分别存储在M个存储器单元中,其中N是大于或等于M的自然数,
其中,M个存储器单元包括用于存储N比特数据的至少一个高位的第一存储器单元和用于存储N比特数据的至少一个低位的第二存储器单元;以及
存储器控制器配置为对具有第一感测裕度的第一存储器单元进行编程,并对具有小于第一感测裕度的第二感测裕度的第二存储器单元进行编程。
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