[发明专利]CMP机台联动方法及系统

说明书

本申请公开了一种CMP机台联动方法及系统，涉及半导体制造领域。该CMP机台联动系统包括至少2个CMP机台、至少1个缓冲腔室；相邻的2个CMP机台通过1个缓冲腔室连接；每个缓冲腔室包括2个屏蔽门，一个屏蔽门对准第i个CMP机台的机械手，另一个屏蔽门对准第i+1个CMP机台的机械手；i为大于等于1的整数；缓冲腔室内设置有晶圆架，晶圆架用于放置晶圆；解决了故障CMP机台内放置的晶圆容易报废的问题；达到了及时将故障CMP机台中的晶圆放入合适的环境，联动相邻CMP机台对取出的晶圆进行及时处理，避免晶圆报废的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CMP机台联动方法及系统。

背景技术

CMP(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)是目前集成电路制造过程中对晶圆表面进行全局平坦化的工艺。CMP制程被广泛应用在集成电路制造的各个阶段，比如，前段制程中的STI-CMP，后段制程中的ILD-CMP、W-CMP、Cu-CMP等。

在Cu-CMP阶段，如果CMP机台出现故障警报，机台就会停止工作，如果机台的冲洗腔室无法立刻恢复运行，由于Cu比较活泼，覆盖有Cu的晶圆长期暴露，机台中的晶圆将会报废。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种CMP机台联动方法及系统。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种CMP机台联动系统，包括至少2个CMP机台、至少1个缓冲腔室；

相邻的2个CMP机台通过1个缓冲腔室连接；

其中，每个缓冲腔室包括2个屏蔽门，一个屏蔽门对准第i个CMP机台的机械手，另一个屏蔽门对准第i+1个CMP机台的机械手；i为大于等于1的整数；

缓冲腔室内设置有晶圆架，晶圆架用于放置晶圆。

可选的，缓冲腔室内设置有喷嘴，喷嘴连接输液管，输液管用于输送晶圆保护液。

可选的，当相邻的2个CMP机台的结构呈非镜像对称时，缓冲腔室内设置有传送装置，传送装置用于移动晶圆架；

晶圆架的底部固定在基座上，基座的底部连接在传送装置上。

可选的，在每个CMP机台中，机械手位于冲洗腔室和磨片腔室之间。

第二方面，本申请实施例提供了一种CMP机台联动方法，应用于第一方面所示的CMP机台联动系统，该方法包括：

当第i个CMP机台发生腔室故障时，控制缓冲腔室上对准第i个CMP机台的屏蔽门开启，通过第i个CMP机台的机械手将CMP机台内的晶圆取出；

通过第i个CMP机台的机械手将晶圆放入缓冲腔室内的晶圆架上。

可选的，当缓冲腔室内放置有晶圆时，控制缓冲腔室内的喷嘴向晶圆喷淋晶圆保护液。

可选的，该方法还包括：

当第i个CMP机台的腔室故障解除后，控制第i个CMP机台的机械手从缓冲腔室内取出晶圆，并将取出的晶圆送入第i个CMP机台内。

可选的，该方法还包括：

在第i个CMP机台的腔室故障未解除时，第i+1个CMP机台的机械手从缓冲腔室内取出晶圆，并将取出的晶圆送入第i+1个CMP机台内。

可选的，当相邻的2个CMP机台的结构呈非镜像对称时，在CMP机台的机械手从缓冲腔室内取出晶圆之前，该方法还包括：

检测晶圆架是否靠近需拿取晶圆的机械手；