[发明专利]开放空腔桥接器共面放置架构和工艺

说明书

本文公开的实施例包括具有开放空腔桥接器的多管芯封装。在示例中，电子装置包括具有交替的金属化层和电介质层的封装衬底。封装衬底包括第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘。封装衬底还包括位于第一多个衬底焊盘和第二多个衬底焊盘之间的开放空腔，开放空腔具有底部和侧面。电子装置还包括位于开放空腔中的桥接管芯，桥接管芯包括第一多个桥接焊盘、第二多个桥接焊盘和导电迹线。间隙横向地位于桥接管芯与开放空腔的侧面之间，间隙围绕桥接管芯。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体器件，更具体而言，涉及具有开放空腔桥接器的多管芯封装。

背景技术

对于小型化形状因子和提高集成水平以获得高性能的需求正在推动半导体工业中的复杂封装方法。一种这样的方法是使用管芯分割来实现小形状因子的小型化和高性能。这种架构依赖于精细的管芯到管芯互连来将分割的管芯耦合在一起。嵌入式多管芯互连桥接器(EMIB)已经被用来提供精细的管芯到管芯互连。然而，EMIB还具有其自身的集成挑战。

一个挑战是EMIB受高累积凸块厚度变化(BTV)的困扰。随着更多的EMIB被包括在封装中以及随着EMIB的尺寸增加，BTV正变成更大的工程障碍。已经提出将EMIB放置在玻璃贴片上以减少BTV并改善翘曲。然而，玻璃贴片是具有低热导率的厚衬底。因此，热压接合(TCB)不适合于中间级互连(MLI)。因此，需要增加MLI的间距，以便适应替代的接合技术，例如传统的芯片附接模块(质量回流)工艺。增加MLI的间距需要使用设置在玻璃贴片之上的一个或多个再分布层。再分配层抵消了玻璃提供的BTV益处，并且不是期望的解决方案。

附图说明

图1是具有开放空腔桥接器的电子封装的截面图。

图2是根据本公开的实施例的具有开放空腔桥接器的电子封装的截面图。

图3是根据本公开的另一实施例的具有开放空腔桥接器的另一电子封装的截面图。

图4A和4B分别是根据本公开的另一实施例的具有开放空腔桥接器的另一电子封装的截面图和平面图。

图5A和5B分别是根据本公开的另一实施例的桥接管芯的截面图和平面图。

图6A和6B分别是根据本公开的另一实施例的具有开放空腔桥接器的另一电子封装的截面图和平面图。

图7A-7D是根据本公开的另一实施例的具有开放空腔桥接器的各种电子封装的截面图。

图8A-8D是根据本公开的另一实施例的具有开放空腔桥接器的各种电子封装的平面图图示。

图9是根据本公开的实施例构建的计算设备的示意图。

具体实施方式

本文描述了根据各种实施例的具有开放空腔桥接器的多管芯封装。在以下说明中，将使用本领域技术人员通常采用的术语来说明示例性实施方式的多个方面以向本领域中其他技术人员传达其工作的主旨。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以仅借助部分所述的方面来实施本公开的实施例。为了解释，阐述了特定的数量、材料和配置以便提供对示例性实施方式的透彻理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在没有这些特定细节的情况下实施本公开。在其他实例中，省略或简化了公知的特征，以避免使得示例性实施方式难以理解。

将以最有助于理解本公开的方式作为多个分立操作依次描述各操作，但描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必定是顺序相关的。具体而言，这些操作不必按照所呈现的顺序执行。

某些术语也可以用于以下描述中，仅用于参考的目的，因此不旨在是限制性的。例如，诸如“上”、“下”、“上方”和“下方”的术语是指所参考的附图中的方向。诸如“前”、“后”、“后部”和“侧面”的术语描述了部件的部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，参照描述所讨论的部件的文本和相关附图，这是清楚的。这样的术语可以包括上面具体提到的词语、其派生词和类似含义的词语。