[发明专利]显示面板

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

基板；

第一金属氧化物晶体管，设置于所述基板上，所述第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层；

电容器，设置于所述基板上，所述电容器包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板与所述第一金属氧化物有源层同层设置，所述第二电极板对应所述第一电极板设置且位于所述第一电极板的上方；

第一透明导电件，与所述第一金属氧化物有源层同层设置，且连接所述第一金属氧化物有源层和所述第一电极板；

第一多晶硅晶体管，所述第一多晶硅晶体管设置于所述基板上，所述电容器对应所述第一多晶硅晶体管设置，所述第一电极板设置于所述第一多晶硅晶体管的上方；

第一绝缘层，设置于所述第一多晶硅晶体管和所述第一电极板之间，所述第一金属氧化物有源层、所述第一电极板以及所述第一透明导电件均设置于所述第一绝缘层上；以及

第二绝缘层，设置于所述第二电极板和所述第一电极板之间，所述第二电极板设置于所述第二绝缘层上，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为4500埃-6000埃，所述第二绝缘层的厚度为1000埃-2500埃。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化物晶体管还包括第一栅极以及第二栅极，所述第一金属氧化物有源层设置于所述第一栅极的上方且对应所述第一栅极设置，所述第二栅极设置于所述第一金属氧化物有源层的上方且对应所述第一金属氧化物有源层设置；

所述第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层和第三栅极，所述第三栅极设置于所述第一多晶硅有源层的上方；

所述显示面板还包括：

第三绝缘层，设置于所述第三栅极和所述第一绝缘层之间，所述第一栅极设置于所述第三绝缘层上；以及

第四绝缘层，设置于所述第一多晶硅有源层和所述第三栅极之间。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第五绝缘层，设置于所述第二电极板上；以及

桥接引线，设置于所述第五绝缘层上，且所述桥接引线的一端通过贯穿所述第五绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层的第一过孔与所述第一多晶硅有源层电性连接，所述桥接引线的另一端通过贯穿所述第五绝缘层以及所述第二绝缘层的第二过孔与所述第一金属氧化物有源层电性连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第二多晶硅晶体管，包括第二多晶硅有源层以及第四栅极，所述第二多晶硅有源层与所述第一多晶硅有源层同层设置，所述第四栅极与所述第三栅极同层设置；

阳极引线，设置于所述第五绝缘层上；

第六绝缘层，设置于所述阳极引线和所述桥接引线上；以及

阳极，设置于所述第六绝缘层上；

其中，所述阳极引线通过贯穿所述第五绝缘层、所述第二绝缘层、所述第一绝缘层、所述第三绝缘层以及所述第四绝缘层的第三过孔与所述第二多晶硅有源层电性连接，且所述阳极通过贯穿所述第六绝缘层的第四过孔与所述阳极引线电性连接。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种，所述第二绝缘层的制备材料选自氮化硅或氧化硅中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

第二金属氧化物晶体管，所述第二金属氧化物晶体管包括第二金属氧化物有源层，所述第二金属氧化物有源层与所述第一金属氧化物有源层同层设置；以及

第二透明导电件，所述第二透明导电件与所述第二金属氧化物有源层同层设置，且连接所述第二金属氧化物有源层和所述第一电极板。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电件、所述第二透明导电件和所述第一电极板的制备材料均包括氧化铟镓锌。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化物有源层和所述第二金属氧化物有源层的制备材料包括氧化铟镓锌。