[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202011544119.7 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112687703B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12;H01L23/64 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本申请提供一种显示面板,显示面板包括:基板;第一金属氧化物晶体管,设置于基板上,第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层;电容器,设置于基板上,电容器包括第一电极板,第一电极板与第一金属氧化物有源层同层设置;以及第一透明导电件,与第一金属氧化物有源层同层设置,且连接第一金属氧化物有源层和第一电极板。通过第一电极板与第一金属氧化物有源层同层设置,且与第一金属氧化物有源层同层设置的第一透明导电件连接第一电极板和第一金属氧化物有源层,以减少过孔数目以及搭接用金属布线,有利于提高显示面板的开口率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)显示器具有自发光、对比度高以及反应速度快的特性,其具有非常好的发展前景。
目前,如何提高有机发光二极管显示器的开口率是需要解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板,以减少过孔数目以及搭接用金属布线,有利于提高显示面板的开口率。
为实现上述目的,本申请提供一种显示面板,所述显示面板包括:
基板;
第一金属氧化物晶体管,设置于所述基板上,所述第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层;
电容器,设置于所述基板上,所述电容器包括第一电极板,所述第一电极板与所述第一金属氧化物有源层同层设置;以及
第一透明导电件,与所述第一金属氧化物有源层同层设置,且连接所述第一金属氧化物有源层和所述第一电极板。
有益效果:通过第一电极板与第一金属氧化物有源层同层设置,且与第一金属氧化物有源层同层设置的第一透明导电件连接第一电极板和第一金属氧化物有源层,以减少过孔数目以及搭接用金属布线,有利于提高显示面板的分辨率。
附图说明
图1为本申请实施例显示面板的截面示意图;
图2为本申请实施例显示面板的像素驱动电路的示意图;
图3为第二图案化有源层的平面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种显示面板,显示面板为有机发光二极管显示面板。如图1以及图2所示,图1为本申请实施例显示面板的截面示意图,图2为本申请实施例显示面板的像素驱动电路的示意图。显示面板100具有显示区100a以及焊盘区100b。显示面板100的显示区100a设置有多个阵列排布的像素驱动电路。显示面板100的焊盘区100b设置有多个焊盘。
如图2所示,每个像素驱动电路包括第一多晶硅晶体管M1、第二多晶硅晶体管M2、第一金属氧化物晶体管M3、第二金属氧化物晶体管M4、第三多晶硅晶体管M5、第四多晶硅晶体管M6、第五多晶硅晶体管M7、发光器件OLED以及电容器C。其中,第一多晶硅晶体管M1为驱动晶体管,第二多晶硅晶体管M2为第二开关控制晶体管,第一金属氧化物晶体管M3为补偿晶体管,第二金属氧化物晶体管M4为初始化晶体管M4,第三多晶硅晶体管M5为第一发光控制晶体管,第四多晶硅晶体管M6为开关晶体管,第五多晶硅晶体管M7为复位晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011544119.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的