[发明专利]一种双向ESD保护电路有效
申请号: | 202011546107.8 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112448380B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 胡利志 | 申请(专利权)人: | 成都思瑞浦微电子科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 641400 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双向 esd 保护 电路 | ||
1.一种双向ESD保护电路,接设于芯片供电端的引脚PIN与接地端的引脚GND之间,其特征在于:由二极管D1、PMOS管MP1~MP5相接构成,其中PMOS管MP1、MP2的漏极、MP4的栅极与引脚PIN相连接,MP4的源极、漏极与MP2的栅极共连相接,PMOS管MP1的源极、MP3的漏极、MP5的栅极与二极管D1的阴极相接于节点Vminus,MP5的源极、漏极与MP3的栅极共连相接,二极管D1的阳极与引脚GND相接于地,且PMOS管MP2、MP3的共源极、MP1的栅极和所有PMOS管的衬底均相接于节点Vbody。
2.根据权利要求1所述双向ESD保护电路,其特征在于:还包括接入PMOS管MP1 的栅极与节点Vbody之间的电阻R1。
3.根据权利要求1所述双向ESD保护电路,其特征在于:还包括电阻R2,电阻R2的一端与引脚PIN相连接,电阻R2的另一端与PMOS管MP5的源极相连接。
4.根据权利要求1所述双向ESD保护电路,其特征在于:还包括电阻R3,电阻R3的一端接入节点Vminus,电阻R3的另一端与PMOS管MP4的源极相连接。
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