[发明专利]独立单原子厚金属膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种独立单原子厚金属膜的制备方法，其特征在于，采用透射电子显微镜原位制备，包括以下步骤：

（1）将金属源和二维材料在真空条件下，在100-300℃进行热处理；

（2）将热处理后的样品转移至透射电子显微镜中；

（3）在样品上选择有大片干净单层二维材料和富集单一金属元素的区域作为成膜区域，不断调整电子束参数辐照该区域，得到独立单原子厚金属膜；

所述的二维材料为石墨烯。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述金属源为金属单质或金属乙酰丙酮化合物。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，金属单质为金、银、铜、铬、铟、钴、钒、锰、镓、镁、铝、钙、镍、铁或锌。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中真空度为10^-6-10^-5mbar。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，热处理后的样品表面如有非晶，根据非晶层的厚薄用电子束辐照1-5min进行表面清洁。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述电子束参数包括：电压：60或80kV；电子束流：1.0-2.0nA；电子束剂量：10⁵-10⁷A/m²；电子束辐照时长：0.5-5min。

7.一种由权利要求1-6任一项所述的制备方法制备的独立单原子厚金属膜。

8.根据权利要求7所述的独立单原子厚金属膜，其特征在于，所述的独立单原子厚金属膜为无衬底支撑的在二维材料孔洞中形成的一层原子厚的金属膜。

9.权利要求7所述的独立单原子厚金属膜在催化或气体传感中的应用。