[发明专利]静电卡盘和半导体工艺设备

权利要求书

1.一种静电卡盘，其特征在于，包括：

支撑件，所述支撑件包括基体和支撑台，所述支撑台凸出设置于所述基体，所述支撑台背离所述基体的表面包括用于支撑待加工工件的承载面；

限位件，所述限位件具有贯穿孔，所述限位件支撑于所述基体，且所述支撑台伸入所述贯穿孔之内，所述限位件背离所述基体的表面高于所述承载面，所述贯穿孔的内环壁和所述承载面用于共同定位所述待加工工件；

电极组件，所述电极组件设置于所述支撑件内，所述电极组件用于在与电源连接的情况下，向所述限位件和支撑于所述支撑台上的所述待加工工件提供静电吸附作用力。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述电极组件包括第一吸附层和第二吸附层，所述第一吸附层设置于所述基体之内，所述第一吸附层设有第一避让孔，以使所述第一吸附层正对所述限位件所在区域；所述第二吸附层设置于所述支撑台内，且与所述承载面相对设置。

3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述电极组件还包括均可与所述电源连接的第一传导层和第二传导层，所述第一传导层和所述第二传导层均设置于所述基体之内，所述第一传导层相对所述第一吸附层设置，所述第一传导层位于所述第一吸附层远离所述限位件的一侧，所述第一传导层和第一吸附层电性连接，所述第一传导层设有第二避让孔，所述第二避让孔和所述第一避让孔相对设置；

所述第二传导层设置于所述第二避让孔的轴向延伸区域内，所述第二传导层与所述第二吸附层相对且电性连接。

4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一传导层和所述第二传导层在所述基体的厚度方向上平齐设置。

5.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，沿所述基体的厚度方向，所述第二吸附层的投影与所述第二传导层重合。

6.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，沿所述基体的厚度方向：

所述第二传导层的投影位于所述第二避让孔之内，所述第二避让孔的投影的一部分位于所述第二传导层之外；

所述第二避让孔的投影位于所述第一避让孔之内，所述第一避让孔的投影的一部分位于所述第二避让孔之外。

7.根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述第一传导层通过第一馈入结构与第一电源连接，所述第二传导层通过第二馈入结构与第二电源连接。

8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述贯穿孔为阶梯孔，所述阶梯孔包括直径不同且相互连通的大径孔段和小径孔段，所述支撑台插设于所述小径孔段内，且所述承载面位于所述大径孔段内，所述大径孔段的内环壁和所述承载面共同定位所述待加工工件。

9.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述贯穿孔的数量为多个，所述支撑件包括多个所述支撑台，多个所述支撑台与多个所述贯穿孔一一对应，且相邻所述贯穿孔的距离大于6mm。

10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室、滤波器、匹配器和射频电源，所述反应腔室内设有基座，所述基座上设有如权利要求1-9中任一项所述的静电卡盘，所述电极组件通过所述滤波器与直流电源电连接，所述射频电源通过所述匹配器与所述基座连接。