[发明专利]静电卡盘和半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种静电卡盘和半导体工艺设备，静电卡盘包括支撑件、限位件和电极组件，所述支撑件包括基体和支撑台，所述支撑台凸出设置于所述基体，所述支撑台背离所述基体的表面包括用于支撑待加工工件的承载面；所述限位件具有贯穿孔，所述限位件支撑于所述基体，且所述支撑台伸入所述贯穿孔之内，所述限位件背离所述基体的表面高于所述承载面，所述贯穿孔的内环壁和所述承载面用于共同定位所述待加工工件；所述电极组件设置于所述支撑件内，所述电极组件用于在与电源连接的情况下，向所述限位件和支撑于所述支撑台上的所述待加工工件提供静电吸附作用力。上述静电卡盘可以解决目前晶圆边缘的刻蚀效率较低，晶圆的整体均匀性较差的问题。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种静电卡盘和半导体工艺设备。

背景技术

在晶圆的刻蚀过程中，通常借助静电卡盘向晶圆施加吸附力，以固定晶圆，并且，静电卡盘包括卡盘基体和限位件，限位件用于在水平方向上对晶圆的位置进行限制。通常来说，为了保证限位件具有满足需求的结构强度，限位件的厚度通常较大，从而导致支撑在卡盘基体上的限位件会高于吸附在卡盘基体的晶圆，造成反应腔内气流和电磁场在晶圆的边缘处的分布情况与晶圆的中心区域存在差异，进而导致晶圆边缘的刻蚀效率较低，晶圆的整体均匀性较差。

发明内容

本发明公开一种静电卡盘和半导体工艺设备，以解决目前静电卡盘中的限位件通常高于晶圆，导致晶圆边缘的刻蚀效率较低，晶圆的整体均匀性较差的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

第一方面，本发明实施例公开一种静电卡盘，其包括：

支撑件，所述支撑件包括基体和支撑台，所述支撑台凸出设置于所述基体，所述支撑台背离所述基体的表面包括用于支撑待加工工件的承载面；

限位件，所述限位件具有贯穿孔，所述限位件支撑于所述基体，且所述支撑台伸入所述贯穿孔之内，所述限位件背离所述基体的表面高于所述承载面，所述贯穿孔的内环壁和所述承载面用于共同定位所述待加工工件；

电极组件，所述电极组件设置于所述支撑件内，所述电极组件用于在与电源连接的情况下，向所述限位件和支撑于所述支撑台上的所述待加工工件提供静电吸附作用力。

第二方面，本发明实施例公开一种半导体工艺设备，其包括：反应腔室、滤波器、匹配器和射频电源，所述反应腔室内设有基座，所述基座上设有上述静电卡盘，所述电极组件通过所述滤波器与直流电源电连接，所述射频电源通过所述匹配器与所述基座连接。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开一种静电卡盘，其包括支撑件、限位件和电极组件，其中，支撑件包括基体和凸出设置于基体的支撑台，支撑台背离基体的表面包括承载面，限位件设置在基体上，支撑件内设置有电极组件，通电状态下的电极组件可以通过静电吸附作用力使限位件和支撑在承载面上的待加工工件被固定在支撑件上。由于支撑台相对基体凸出设置，且限位件直接支撑在基体上，从而可以减小承载面与限位台背离基体的表面之间的间距，在这种情况下，可以使支撑在承载面上的待加工工件背离承载面的表面与限位件背离基体的表面之间的间距更小，甚至为零，使限位件背离基体的表面不高于待加工工件背离承载面的表面，从而在对待加工工件进行加工的过程中，使反应腔室内气流和电磁场在待加工工件的边缘处的分布情况与其中心处的分布情况趋同，进而提升待加工工件的边缘的刻蚀效率，提升待加工工件的均匀性。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例公开的静电卡盘与待加工工件的配合示意图；

图2为本发明实施例公开的静电卡盘中部分结构的剖面示意图；