[发明专利]有通道的举升销在审
申请号: | 202011548209.3 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN113073310A | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | R.辛古;D.南德瓦纳;T.R.邓恩;S.斯瓦米纳坦;B.佐普;C.L.怀特 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C14/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通道 举升销 | ||
1.一种反应器系统,其包括:
反应室,其由室侧壁封闭;
基座,其设置在所述反应室中,其中所述基座设置在包括于所述反应室中的反应空间与下室空间之间,
其中所述基座包括销孔,所述销孔被设置成穿过所述基座,使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通,并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通;以及
举升销,其设置在所述销孔中,其中所述举升销包括销主体,其中所述销主体包括由销通道表面限定的销通道,所述销通道设置在所述销主体中,使得当所述举升销设置在所述销孔中时,所述反应空间与所述下室空间流体连通。
2.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述举升销被设置成使得所述销主体的销外表面邻近于限定所述销孔的销孔表面设置。
3.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述销主体包括具有包括所述销通道的切口的圆柱形形状,其中所述销主体进一步包括具有包括所述销通道的所述切口的圆形横截面,其中所述销通道包括所述销主体的所述圆形横截面中的薄饼片形通道。
4.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述销通道设置在所述销主体内,使得所述销通道表面形成封闭形状。
5.根据权利要求1所述的反应器系统,其进一步包括与所述下室空间流体连通的真空源,其中所述真空源通过所述举升销的所述销通道与所述反应室的所述反应空间流体连通。
6.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述举升销包括在所述销主体的顶端处的销头,其中所述销通道延伸穿过所述销头,其中所述销头至少部分地设置在所述基座的所述销孔中,其中所述销头与所述基座形成至少部分密封。
7.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述室侧壁靠近所述基座的基座外侧表面而设置。
8.根据权利要求7所述的反应器系统,其进一步包括空间,所述空间设置在所述室侧壁与所述基座外侧表面之间,使得所述反应室的所述反应空间和所述下室空间通过所述空间流体连通。
9.根据权利要求7所述的反应器系统,其中流体流动被限制在所述室侧壁与所述基座外侧表面之间。
10.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述举升销包括所述销主体的顶端,其中所述举升销和所述基座被配置成相对于彼此移动,使得举升销主体的所述顶端能够从所述基座的衬底支撑表面突起。
11.一种举升销,其被配置成设置在包括于反应器系统中的基座中,所述举升销包括:
销主体,其由销外表面限定,其中所述销主体包括由销通道表面限定的销通道,所述销通道延伸所述销主体的长度。
12.根据权利要求11所述的举升销,其中所述销通道设置在所述销主体内,使得所述销通道表面形成封闭形状。
13.根据权利要求11所述的举升销,其中所述销通道线性地跨越所述销主体所跨越的轴线并且平行于所述轴线。
14.根据权利要求11所述的举升销,其中所述销外表面限定包括部分缺失的几何形状的横截面形状,其中所述销通道是缺失的所述部分。
15.根据权利要求11所述的举升销,其进一步包括所述销主体的顶端处的销头,其中所述销通道延伸穿过所述销头。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的