[发明专利]有通道的举升销

说明书

一种反应器系统可包括：反应室，其由室侧壁封闭；以及基座，其在所述反应室中设置在包括于所述反应室中的反应空间与下室空间之间。所述基座可包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通。举升销可以设置在所述销孔中。所述举升销可包括销主体，所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。

技术领域

本公开大体上涉及一种半导体处理或反应器系统，并且具体地说涉及一种半导体反应器系统，以及其中包括的部件,所述半导体反应器系统防止材料沉积在例如反应器系统和/或衬底的不合需要的位置处。

背景技术

可使用反应室将各种材料层沉积到半导体衬底上。半导体可放置在反应室内的基座上。可将衬底和基座两者都加热到所需的衬底温度设定点。在实例衬底处理工艺中，可使一种或多种反应气体越过被加热的衬底，从而致使材料薄膜沉积在衬底表面上。在整个后续沉积、掺杂、光刻、蚀刻和其它工艺期间，将这些层制成为集成电路。

反应室通常用单室或双室制造。在双室布置中,两个室可以定向成一个室竖直地出于第二室上方，所述第二室可以例如由基座分开。在包括双室的反应器系统的操作期间，不合需要的污染物可能在衬底的下侧(即，靠近基座的衬底表面)上累积和/或涂覆，和/或材料可能在衬底边缘上累积，这是因为衬底可能在沉积过程期间弯曲。因此，需要用于防止在衬底下侧的沉积以及材料衬底边缘上不希望的累积的设备和方法。

发明内容

提供此概述是为了以简化的形式引入一系列概念。下文在本公开的示例实施例的详细描述中更详细地描述这些概念。本概述并非打算标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也并非打算用于限制所要求保护的主题的范围。

在一些实施例中,提供了一种反应器系统。本文公开的反应器系统可允许在基座上安放和/或平坦化衬底，以减少或防止衬底上不需要的材料沉积和/或沉积图案。

在各种实施例中，反应器系统可包括由室侧壁封闭的反应室，以及在反应室中设置在包括于反应室中的反应空间与下室空间之间的基座。所述基座可包括销孔，所述销孔被设置成穿过所述基座，使得所述销孔与所述反应空间和所述下室空间流体连通，并且使得所述反应空间与所述下室空间流体连通。举升销可以设置在所述销孔中。所述举升销可包括销主体，所述销主体包括由销通道表面限定的销通道，所述销通道设置在所述销主体中，使得当所述举升销设置在所述销孔中时，所述反应空间与所述下室空间流体连通。销通道可沿着销主体的长度设置。在各种实施例中，销通道可以线性地跨越销主体所跨越的轴线并且平行于所述轴线。

在各种实施例中，举升销可以设置成使得销主体的销外表面邻近于限定销孔的销孔表面设置。在各种实施例中，销外表面可限定包括部分缺失的几何形状的横截面形状，其中销通道是缺失的部分。在各种实施例中，销主体可以包括具有包括销通道的切口的圆柱形形状，其中销主体进一步包括具有包括销通道的切口的圆形横截面，其中销通道包括销主体的圆形横截面中的薄饼片形通道。在各种实施例中，销通道可设置在销主体内，使得销通道表面形成封闭形状。在各种实施例中，举升销可包括在销主体的顶端处的销头，其中销通道可延伸穿过销头。销头可以至少部分地设置在基座的销孔中。销头可以与基座形成至少部分密封。在各种实施例中，举升销可以包括销主体的顶端，其中举升销和基座可以被配置成相对于彼此移动，使得举升销主体的顶端能够从基座的衬底支撑表面突起。

在各种实施例中，反应器系统可进一步包括与下室空间流体连通的真空源，其中真空源可通过举升销的销通道与反应室的反应空间流体连通。在各种实施例中，室侧壁可以靠近基座的基座外侧表面而设置。在各种实施例中，反应器系统可进一步包括空间，所述空间设置在室侧壁与基座外侧表面之间，使得反应室的反应空间和下室空间可通过所述空间流体连通。在各种实施例中，流体流动可限制在室侧壁与基座外侧表面之间。