[发明专利]非末端烯类液晶单体的顺反转位方法

权利要求书

1.一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶的顺反转位方法包括：

在惰性气氛的存在下，使所述非末端烯类液晶单体的顺反混合物、钨酸和氢氧化镧进行异构化反应，得到反式非末端烯类液晶单体。

2.根据权利要求1所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，在进行所述异构化反应之前，所述非末端烯类液晶单体的顺反转位方法还包括：在惰性气氛下，使催化剂载体、所述钨酸和所述氢氧化镧的混合物依次进行酸碱反应和焙烧，得到钨酸/镧元素改性催化剂；然后使所述钨酸/镧元素改性催化剂进行所述异构化反应。

3.根据权利要求2所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述催化剂载体为蒙脱土。

4.根据权利要求3所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述催化剂载体、所述钨酸和所述氢氧化镧的重量比为100:(10～30):(5～20)。

5.根据权利要求3所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述酸碱反应的温度为90～100℃，反应时间为4～8h；所述焙烧过程的温度为120～150℃，反应时间为5～10h。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶单体的顺反混合物与所述钨酸/镧元素改性催化剂的重量比为100:(1～10)。

7.根据权利要求6所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述异构化反应的温度为50～60℃，反应时间为5～8h。

8.根据权利要求6所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述异构化反应在有机溶剂中进行，优选地，所述有机溶剂选自二氯乙烷、甲苯和正庚烷组成的组中的一种或多种。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，其特征在于，所述非末端烯类液晶单体具有以下结构：

所述R₁选自(a)C₁～C₁₅的卤代或未取代的烷基，或上述基团中一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-(CO)O-、-O(CO)-、-(CO)-或-O-形成的第一取代基，且所述第一取代基中两个氧原子不能直接相连，或者选自F、Cl、Br、CN、OH、CF₃、OCF₃、SCN、NCS或SF₅；或

(b)反式-1，4-亚环己基或亚环己烯基，或上述基团中的一个或两个不相邻的CH₂基团可被-O-和/或-S-取代形成的第二取代基，且所述第二取代基中的至少一个H可被F代替；或

(c)1，4-亚苯基，或1，4-亚苯基中的一个或两个CH基团被N代替，和/或一个或多个H原子可被Br、Cl、F、CN、C₃～C₆环烷基、C₁～C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基、单氟或多氟取代的C₁～C₁₀烷基或烷氧基取代形成的第三取代基；

所述R₂选自C₁～C₁₅的卤化或未取代的烷基，或上述基团中一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-(CO)O-、-O(CO)-、-(CO)-或-O-形成的第四取代基，且所述第四取代基中两个氧原子不能直接相连。