[发明专利]非末端烯类液晶单体的顺反转位方法

说明书

本发明提供了一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法。该顺反转位方法包括：在惰性气氛的存在下，使非末端烯类液晶单体的顺反混合物、钨酸和氢氧化镧进行异构化反应，得到反式非末端烯类液晶单体。钨酸和氢氧化镧能够发生反应，形成催化活性中间体；在上述催化活性中间体和惰性气氛的存在下，非末端烯类液晶单体的顺反混合物中的顺式结构能够转化为反式结构，从而大大提高非末端烯类液晶单体的反式结构的收率和纯度。同时上述顺反转位反应在无水环境下进行，催化剂为固态，非末端烯类液晶单体为液态，易于分离，从而能够实现催化剂的重复套用，降低工艺成本。此外上述工艺还具有较好的环保性。

技术领域

本发明涉及非末端烯类液晶单体合成领域，具体而言，涉及一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法。

背景技术

液晶高分子化合物是指能够在一定条件下以液晶态存在的高分子，它既具有低分子液晶的取向有序性，又具有高分子的易加工等优点。处于液晶态的高分子能自组织生成各种有序结构，这种自组织能力赋予了液晶材料优异的特性，比如高强度和模量，或很小的热膨胀系数、优秀的光电特性等。非末端烯类液晶单体是一类非常重要的液晶化合物，它具有低粘度、低极性等优良的物性参数，将其用于混晶材料中可以显著改进LCD器件的陡度和视角，提高液晶显示器件的响应速度，在中高端STN和TFT液晶材料具有良好的应用前景。

现有文献报道了1，4-反式-取代的环己烷烯基化合物(1A)的E/Z的粗品，在苯亚磺酸及盐异构化条件下，产生75～80％的E-构型烯烃，如反应1-1所示。

芳族烯基化合物(2A)的E/Z的粗品，在苯亚磺酸及盐异构化条件下，产生70％～75％的E-构型烯烃，如反应1-2所示。

以上方程式中，R₁表示(a)具有1到15个C原子的卤代或未取代的烷基，其中该基团中一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-(CO)O-、-O(CO)-、-(CO)-或-O-以使得O原子不直接彼此连接的方式代替，或者表示F、Cl、Br、CN、OH、CF₃、OCF₃、SCN、NCS或SF₅；(b)反式-1，4-亚环己基或亚环己烯基，其中该基团中的一个或两个不相邻的CH₂基团可被-O-和/或-S-代替，且其中的H可被F代替；(c)1，4-亚苯基，其中一个或两个CH基团可被N代替，一个或多个H原子可被Br、Cl、F、CN、C₃～C₆环烷基、C_1-C₁₀烷基、C₁～C₁₀烷氧基或者单或多氟化的C₁～C₁₀烷基或烷氧基代替。

R₂表示具有1到15个C原子的卤化或未取代的烷基，其中该基团中一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-(CO)O-、-O(CO)-、-(CO)-或-O-以使得O原子不直接彼此连接的方式代替。

苯亚磺酸及盐在非末端烯类转位广泛应用催化E/Z粗品转化为含70％～80％E-构型的烯基化合物。但以上E/Z异构化方法的缺陷是非末端烯烃异构化后，E-构型产物所达到的比例低，导致收率偏低，成本偏高，而且酸性体系下反应，污染大。

因而需要寻找一种新的改进方法来提高E-构型产物在物质中的比例，高纯度及高收率的烯烃的异构化方法具有很高的商业优势。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种非末端烯类液晶单体的顺反转位方法，以解决采用现有方法合成非末端烯类液晶单体时存在反式结构的收率和纯度低的问题。