[发明专利]复合材料、发光二极管和显示装置

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，包括电子传输材料与容纳有活性物质的物质储存材料，其中，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，所述活性物质至少包括CO₂，所述金属元素能够与CO₂形成金属碳酸盐。

2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述活性物质还包括H₂O和O₂，其中，所述H₂O和所述CO₂的摩尔比为0.8～2:1，

优选地，所述H₂O和所述CO₂的摩尔比为1:1，

优选地，所述H₂O与所述电子传输材料的摩尔比为0.01～1:1。

3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述物质储存材料中含有无机酸，所述无机酸和所述CO₂的摩尔比为0.8～2:1，

优选地，所述无机酸和所述CO₂的摩尔比为1:1，

优选地，所述无机酸与所述电子传输材料的摩尔比为0.01～1:1，

优选地，所述无机酸选自重铬酸、重磷酸、次碘酸、次氯酸、次溴酸、次磷酸、次硫酸、超氧酸、碘酸、碲酸、氟硼酸、氟硅酸、氟锑酸、氟磷酸、氟硫酸、氟铂酸、氟氧酸、钒酸、高氯酸、高锰酸、高铁酸、高碘酸、高溴酸、高氙酸、铬酸、硅酸、钴酸、过氧一硫酸、过二硫酸、过二碳酸、过硼酸、过碳酸、过氧酸、焦磷酸、焦硫酸、焦亚硫酸、连四硫酸、连二亚硫酸、磷酸、磷钼酸、硫代硫酸、硫酸、硫氰酸、氯酸、氯金酸、氯铂酸、氯磺酸、铝酸、锰酸、钼酸、镍酸、硼酸、偏硼酸、偏磷酸、偏亚砷酸、偏铝酸、铅酸、氰酸、氢碘酸、氢叠氮酸、氢碲酸、氢氟酸、氢硫酸、氢氯酸、氢氰酸、氢溴酸、砷酸、三硅酸、四硼酸、四羟基合铝酸、四羟基合铜酸、钛酸、碳酸、铁酸、钨酸、硝酸、硒酸、锡酸、锌酸、溴酸、氙酸、亚碲酸、亚硫酸、亚磷酸、亚氯酸、盐酸、亚铬酸、亚铅酸、亚砷酸、亚硝酸、亚硒酸、亚锡酸、铀酸、原硅酸、原磷酸、原硫酸、原碳酸中至少一种。

4.如权利要求1至3任一项所述的复合材料，其特征在于，所述物质储存材料选自MOFs材料、COFs材料中的至少一种。

5.如权利要求1至3任一项所述的复合材料，其特征在于，所述电子传输材料和所述物质储存材料的含量比为0.01～0.5:1，

优选地，所述电子传输材料选自掺杂或未掺杂的金属化合物、金属元素掺杂的非金属化合物，

更优选地，所述金属元素掺杂的非金属化合物、掺杂的金属化合物中，掺杂元素各自独立地选自Al、Mg、In、Li、Ga、Cd、Cs、Cu中的至少一种；

更优选地，所述电子传输材料选自掺杂或未掺杂的金属氧化物、掺杂或未掺杂的半导体材料、氮化物中的至少一种，

更优选地，所述金属氧化物选自二氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化锡、氧化钨、氧化钽、氧化铪、氧化铝、氧化锆硅、氧化钡钛和氧化钡锆，

所述半导体材料选自CdS、ZnSe和ZnS，

所述氮化物选自Si₃N₄。

6.一种发光二极管，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层的材料包括金属碳酸盐以及权利要求1至5任一项所述的复合材料，所述金属碳酸盐由所述活性物质与所述电子传输材料反应得到。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述活性物质与所述电子传输材料反应是在真空和/或加热处理下进行的。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述真空的真空度小于0.1MPa，

所述加热条件的加热温度为40℃～180℃，加热时间为1min～48h。