[发明专利]复合材料、发光二极管和显示装置

说明书

本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料、发光二极管和显示装置。所述复合材料包括电子传输材料与容纳有活性物质的物质储存材料，其中，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，所述活性物质至少包括CO₂，所述金属元素能够与CO₂形成金属碳酸盐。本申请提供的复合材料，物质储存材料中含有可以反应生成碳酸的气体CO₂。物质储存材料可以缓慢释放CO₂，并反应生成碳酸，生成的碳酸进一步与电子传输材料反应形成金属碳酸盐，可以降低电子传输材料的电子注入效率。

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及复合材料和发光二极管。

背景技术

随着科学与技术的不断革新与发展，当代人们对显示器的大屏幕、高分辨率、低功耗、轻薄等的需求越来越高。量子点发光二级管(Quantum dot light-emitting diode，QLED)作为一种新型的薄膜发光显示器件近年来受到科研界和产业界的广泛关注。与现有的OLED(Organic light-emitting diode，OLED)技术相比，QLED表现出很大的优越性，主要表现为:成本低廉、寿命长、能耗小、色域高、电光转换效率高、适合于大屏幕等等，有望成为下一代平板显示的优秀候选者。

随着量子点材料与QLED器件结构及各功能层的不断优化与发展，QLED的性能取得了长足的进步，表现为红绿蓝器件的效率基本能满足商业化应用需求，真正制约其市场化应用的瓶颈在于器件的寿命问题。由于阴阳两极两侧的空穴传输层和电子传输层的传输速率存在巨大差异，造成载流子在量子点发光层中不能有效复合，使得量子点发光层带电，加速器件老化，降低器件寿命。因此，如何平衡载流子在QLED器件中的有效复合，降低非辐射复合，从而提高器件的寿命，是实现商业化亟待解决的重要问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种复合材料，以及一种含有该复合材料的发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的电子传输材料的电子传输效率较高，难以与空穴传输材料匹配，导致量子点发光层带电，加速器件老化，降低器件寿命的问题。

为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：

本申请第一方面提供一种复合材料，包括电子传输材料与容纳有活性物质的物质储存材料，其中，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，所述活性物质至少包括CO₂，所述金属元素能够与CO₂形成金属碳酸盐。

本申请第二方面提供一种发光二极管，包括电子传输层，所述电子传输层的材料包括电子传输材料、物质储存材料以及金属碳酸盐，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，其中，所述金属碳酸盐由容纳在所述物质储存材料中的活性物质与所述电子传输材料反应获得，且所述活性物质至少包括CO₂气体。

本申请第三方面提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤:

将电子传输材料与物质储存材料的混合材料形成于器件基板上，制得电子传输预制层，其中，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，且所述多孔结构中容纳有气体，所述气体至少包括CO₂；

在所述电子传输预制层上制备组成所述发光二极管的剩余层，得到预制发光二极管；

将所述预制发光二极管置于真空和/或加热条件下处理，得到发光二极管。

本申请提供的复合材料，物质储存材料中含有可以反应生成碳酸的气体CO₂。物质储存材料可以缓慢释放CO₂，并反应生成碳酸，生成的碳酸进一步与电子传输材料反应形成金属碳酸盐，可以降低电子传输材料的电子注入效率。