[发明专利]一种LAP激光镭雕方法有效
| 申请号： | 202011549424.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112739024B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 徐现磊 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00;H05K3/10;H05K3/14 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 汤星星 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lap 激光 方法 | ||
1.一种LAP激光镭雕方法，其特征在于，包括如下步骤，
S1、在塑胶基材上激光镭雕出电路走线槽，对所述电路走线槽的成型深度进行监测；
S2、在所述塑胶基材上的所述电路走线槽内化镀金属层，对所述金属层的成型厚度进行检测；
S3、将测得的所述电路走线槽的成型深度与测得的所述金属层的成型厚度进行数据对比，根据对比结果，对镭雕参数进行调整，使所述金属层的厚度值与所述电路走线槽的深度值一致。
2.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S1中通过激光镭雕机在所述塑胶基材上形成所述电路走线槽，通过段差检测仪对所述电路走线槽的成型深度进行监测。
3.根据权利要求2所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，所述电路走线槽的深度值为10-15μm。
4.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S2中通过段差检测仪对所述金属层的成型厚度值进行监测。
5.根据权利要求4所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，所述金属层的厚度值为11-16μm。
6.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S3之后还包括步骤
S4、在所述塑胶基材上喷涂底漆，使所述底漆覆盖所述金属层；
S5、对喷涂有底漆的所述塑胶基材表面进行打磨；
S6、对经打磨后的所述塑胶基材表面喷涂面漆。
7.根据权利要求6所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S4依次包括如下步骤：
S41、在所述塑胶基材上喷涂密封底漆；
S42、在所述塑胶基材上喷涂打磨底漆。
8.根据权利要求7所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S41之后还包括步骤S411：烘烤所述密封底漆至定型。
9.根据权利要求7所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，步骤S42之后还包括步骤S421：烘烤所述打磨底漆至定型。
10.根据权利要求1所述的LAP激光镭雕方法，其特征在于，在步骤S1中，在对所述塑胶基材进行激光镭雕过程中，实时对所述电路走线槽的成型深度进行检测，并根据检测结果对镭雕参数进行实时调整。
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